一种针对RRAM的快速写验证方法和系统技术方案

本发明专利技术公开了一种针对RRAM的快速写验证方法，包括：创建并初始化查找表，将计数器的值i初始化为0，计数器用来记录一次写操作过程中施加电压脉冲的次数，判断RRAM的存储单元要求写“0”还是写“1”，如果要求写“0”则在RRAM的存储单元两端施加一次反向电压脉冲，其幅值为V_0（i），以改变RRAM存储单元的阻值，并设置计数器i=i+1,读取RRAM存储单元的阻值，并判断该RRAM存储单元阻值是否低于预设的高阻态阻值阈值R_H，如果是，则判断计算器i是否小于最大施加电压脉冲次数N_max，如果不是则表示写操作失败。本发明专利技术可使RRAM存储单元的阻值尽可能地快速分布在预设的高阻态或低阻态范围内，因而可容易区分存储单元的高阻态和低阻态，由此保证RRAM读写的准确性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种针对RRAM的快速写验证方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）创建并初始化查找表，本步骤具体包括以下子步骤：（1?1）设定对RRAM的存储单元进行写操作的各个阶段，包括设定最大施加电压脉冲次数N_max，并将N_max划分为m个子范围，即[0，d1]，[c2，d2]...，[cm，N_max]，其中c2，…，cm，均为正整数，d1，d2，...dm?1均为正整数，每个子范围代表写操作的一个阶段；（1?2）分别确定写“1”和写“0”操作过程中各个写操作阶段的操作电压幅值V_1（i）和V_0（i）与计数器i的映射关系，对于写“0”操作，V_0（i）={f1（i），...，fm（i）}，且有fn（i）=ani+bn，其中1≤n≤m，fn（i）的取值范围是[V1，0），an和bn的取值需要满足以下两个条件：第一，当1≤j值相对应的操作电压幅值V_0（i），并填入查找表；（2）将计数器的值i初始化为0，其用于记录一次写操作过程中施加电压脉冲的次数；（3）判断RRAM的存储单元要求写“0”还是写“1”，如果要求写“0”则转入步骤（4），如果要求写“1”则转入步骤（7）；（4）在RRAM的存储单元两端施加一次反向电压脉冲，其幅值为V_0（i），以改变RRAM存储单元的阻值，并设置计数器i=i+1；（5）读取RRAM存储单元的阻值，并判断该RRAM存储单元阻值是否低于预设的高阻态阻值阈值R_H，如果是，则进入步骤（6），否则表示写“0”操作成功，过程结束；（6）判断计算器i是否小于最大施加电压脉冲次数N_max，如果是，则返回步骤（4），否则表示写操作失败，过程结束。（7）在RRAM的存储单元两端施加一次正向电压脉冲，幅值为V_1（i），以改变RRAM存储单元的阻值，并设置计数器i=i+1；（8）读取RRAM存储单元的阻值，并通过比较电路模块判断该RRAM存储单元阻值是否高于预设的低阻态阻值阈值R_L，如果是，则进入步骤（9），否则表示写“1”操作成功，过程结束。（9）判断计算器i是否小于最大施加电压脉冲次数N_max，如果是，则转入步骤（7），否则表示写操作失败，过程结束。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈进才，周西，张涵，周功业，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：