台阶型微凸点结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种微凸点结构及其制备方法，尤其是一种台阶型微凸点结构及其制备方法，属于半导体封装的技术领域。按照本发明专利技术提供的技术方案，所述台阶型微凸点结构，包括基板体及位于所述基板体上的连接电极层、钝化层及凸点下金属化层；所述凸点下金属化层上设有金属柱；所述金属柱至少包括第一柱体层及位于所述第一柱体层上的第二柱体层；所述第一柱体层与凸点下金属化层电连接，第二柱体层与第一柱体层间形成台阶；第二柱体层的上方设有阻挡金属层，所述阻挡金属层上设有焊料帽。结构简单紧凑，制作工艺简单，控制精度高，避免造成封装结构短路，提高封装的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种台阶型微凸点结构，包括基板体（110）及位于所述基板体（110）上的连接电极层（111）、钝化层（112）及凸点下金属化层（113）；所述凸点下金属化层（113）上设有金属柱（220）；其特征是：所述金属柱（220）至少包括第一柱体层（221）及位于所述第一柱体层（221）上的第二柱体层（222）；所述第一柱体层（221）与凸点下金属化层（113）电连接，第二柱体层（222）与第一柱体层（221）间形成台阶；第二柱体层（222）的上方设有阻挡金属层（330），所述阻挡金属层（330）上设有焊料帽（400）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王宏杰，陆原，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：