【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】公开的实施例涉及半导体器件衬底及将它们组装为半导体器件装置的过程。附图说明为了理解获得实施例的方式，将通过参照附图提供对以上简述的多个实施例的更具体描述。这些附图描绘了不一定按比例绘制的实施例，且不应被认为是对范围的限制。将通过使用附图更为具体且详细地描述并说明一些实施例，在附图中:图1a是根据示例实施例的在处理期间的半导体器件衬底的横截面正视图；图1b是根据实施例的在进一步处理后的图1a所示半导体器件衬底的横截面正视图；图1c是根据实施例的在进一步处理后的图1b所示半导体器件衬底的横截面正视图；图1d是根据实施例的在进一步处理后的图1c所示半导体器件衬底的横截面正视图；图1e是根据实施例的在进一步处理后的图1d所示半导体器件衬底的横截面正视图；图1f是根据实施例的在进一步处理后的图1e所示半导体器件衬底的横截面正视图；图1g是根据示例实施例的在组装期间包括BBUL结构和层叠芯结构的半导体器件装置的横截面正视图 图1h是根据实施例的在进一步处理后的图1g所示半导体器件装置的横截面正视图；图1j是根据实施例的在进一步处理后的图1h所示半导体器件装置的横截面正视图；图1...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·曼努沙洛，M·S·赫拉德，R·K·纳拉，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：
国别省市：
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