【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种高强度抗接触损伤多孔SiC的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）将木材在600?1100℃进行碳化处理，气氛为惰性气体或氢气，处理时间为1?6小时；（2）将碳化处理后的木材在液态聚碳硅烷中浸渍处理得到碳模板，浸渍环境为真空；（3）浸渍处理后的碳模板进行固化处理，固化温度为180℃?250℃，固化时间为1?5小时；（4）将固化后的碳模板在惰性气体或氢气的保护下进行高温处理，或者在真空环境中进行高温处理，得到多孔SiC陶瓷，其中高温处理温度为1000?1500℃，处理时间为2?8小时。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周延春，王晓飞，卢新坡，陶孟，胡继东，孙新，冯志海，
申请(专利权)人：航天材料及工艺研究所，中国运载火箭技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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