一种通孔结构的纯α-SiC材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种通孔结构的纯α-SiC材料的制备方法，利用碳化硅粉与碳化硼粉混合均匀并装入石墨坩埚，放入感应烧结炉中，在坩埚顶部盖上石墨纸或石墨盖，抽真空并充入高于4×104Pa的氩气后加热至2100～2600℃，保温0.5～4h，高温下B4C掺杂的SiC粉料通过升华传送到坩埚顶部，碳化硅在坩埚顶部石墨纸下面通过VLS和螺旋位错机理进行形核长大，在石墨纸盖上得到的通孔结构的纯α相SiC多孔陶瓷材料，可广泛应用于柴油车尾气颗粒捕集器或催化剂载体、尾气处理、污水处理等环保领域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种通孔结构的纯α?SiC材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）按碳化硅80～99.5％,B4C粉0.5～20％的质量百分比，将两组份称量，球磨混合均匀；（2）将混合粉料装入石墨坩埚内；（3）将装有粉料的石墨坩埚装入感应烧结炉的圆柱筒中，在坩埚顶部盖上石墨纸或石墨盖；（4）将感应烧结炉的圆柱筒盖严，抽真空至炉内压力小于103Pa，充入氩气至炉内压力大于4×104Pa；（5）将石墨坩埚加热至2100～2600℃，石墨纸处的温度为1900～2100℃，将炉内压力减至小于2×104Pa，保温0.5～4h，使B4C掺杂的SiC粉料在坩埚顶部石墨纸或石墨盖下面形核生长，得到纯α?SiC颗粒材料...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建锋，刘波波，史永贵，景文甲，徐照芸，王波，鲍崇高，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：