下载一种高强度抗接触损伤多孔SiC的制备方法的技术资料

文档序号:9192768

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本发明涉及一种高强度抗接触损伤多孔SiC的制备方法,包括如下步骤:(1)将木材在600-1100℃进行碳化处理,气氛为惰性气体或氢气,处理时间为1-6小时;(2)将碳化处理后的木材在液态聚碳硅烷中浸渍处理得到碳模板,浸渍环境为真空;(3)浸...
该专利属于航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院所有,仅供学习研究参考,未经过航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院授权不得商用。

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