Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置及检测方法制造方法及图纸

技术编号:9169045 阅读:194 留言:0更新日期:2013-09-19 17:31
本发明专利技术涉及一种Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置及检测方法。目前,薄膜镂空采用SEM来测试镂空面积很困难,并且针对薄膜电池尺寸的SEM设备非常昂贵。为此,本发明专利技术公开了一种Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置,包括检测装置、电路系统和用于显示薄膜电池中PECVD成膜镂空面积和数量的显示装置;所述检测装置包括探针组和用于实现所述探针组在X轴方向做往返运动的运动系统以及用于实现薄膜电池在Y轴方向做往返运动的定位系统;所述探针组和电路系统形成闭合回路;所述显示装置与电路系统的输出端电连接。此外,本发明专利技术还公开了一种Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测方法。本发明专利技术结构合理、成本较低、使用方便,能够测试出薄膜镂空的数量和面积。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置,其特征在于:包括检测装置、电路系统和用于显示薄膜电池(1)中PECVD成膜镂空面积和数量的显示装置;所述检测装置包括探针组(8)和用于实现所述探针组(8)在X轴方向做往返运动的运动系统以及用于实现薄膜电池(1)在Y轴方向做往返运动的定位系统;所述探针组(8)和电路系统形成闭合回路;所述显示装置与电路系统的输出端电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:邵传兵刘小雨
申请(专利权)人:山东禹城汉能光伏有限公司
类型:发明
国别省市:

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