【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
多级磁场直管磁过滤与脉冲偏压复合的电弧离子镀方法，其特征在于，该方法所使用装置包括脉冲偏压电源1、多级磁场直管磁过滤装置2、电弧等离子体电源3、电弧等离子体靶源4、真空室5和样品台6，该方法包括以下步骤：步骤一、将待处理工件置于真空室5内的样品台6上，工件接脉冲偏压电源1的脉冲偏压输出端，安装在真空室5上的电弧等离子体靶源4接电弧等离子体电源3的输出端；步骤二、薄膜沉积：将真空室5抽真空，待真空室5内的真空度小于10?2Pa时，通入工作气体至0.01Pa～10Pa；开启脉冲偏压电源1，并调节脉冲偏压电源1输出的脉冲偏压幅值为V?=?0V～?1000V，脉冲频率为f?=?10kHz～40kHz，占空比为D?=?10～80%；开启电弧等离子体电源3，先通过电弧的弧斑运动清洗电弧等离子体靶源4的表面，调节所需工艺参数，电弧等离子体电源3输出脉冲的电流值为60～300A，保持电弧等离子体的稳定产生；开启多级磁场直管磁过滤装置2对电弧等离子体靶源4产生的电弧等离子体进行控制，保持电弧等离子体在磁过滤装置中的高效传输，同时对大颗粒缺陷进行过滤，实现无大颗粒缺陷薄膜的快速沉积制备。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：魏永强，宗晓亚，蒋志强，文振华，陈良骥，
申请(专利权)人：魏永强，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。