【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种在镁基复合材料表面获得Ti/TiO2或TiN膜层的方法,其特征是:包含以下步骤:(1)、在真空多弧离子镀设备中对表面清洗后的镁基复合材料进行表面镀膜,将真空多弧离子镀膜机抽真空到6.0×10?3Pa以上的真空度,然后加热至200℃~220℃,充入氩气,氩气分压控制在0.4Pa~0.6Pa,接通镁基复合材料偏压电源,偏压值为100V~250V,对镁基复合材料进行初步轰击2min~3min;(2)、如果需要镀Ti/TiO2层,则在步骤(1)之后,再次抽真空到3×10?3Pa以上的真空度,镁基复合材料偏压调整至150V~400V,同时,引燃纯钛靶材起弧放电,起弧电流控制在30A~80A,沉积时间为2min~10min,此时获得纯Ti膜层;将镀好Ti层的产品从真空室中取出后在大气中放置,在Ti层表面自然氧化获得TiO2层,从而获得Ti/TiO2层;(3)、如果需要镀TiN层,则在步骤(1)之后,在真空室中充入氮气,保持氮气分压在0.5Pa~1Pa,占空间体积比例为45%~50%,镁基复合材料偏压值在50V~250V,起弧电流控制在50A~100A,沉积时间为8min~12min;(4)、其 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:余琨,陈良建,戴翌龙,颜阳,乔雪岩,赵俊,
申请(专利权)人:中南大学,
类型:发明
国别省市:
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