【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种Al?Sn薄膜负极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a、用黄铜片作为基片，通过真空磁控溅射沉积镀膜的方法在基片上沉积铝膜；b、将a步骤中得到的样品作为衬底，以PMMA为电子束抗蚀剂，用电子束曝光技术按照设计好的图形在衬底上制备孔洞阵列微结构；c、以PMMA为保护层，将b步骤得到的样品利用四甲基氢氧化铵水溶液进行刻蚀处理，在铝膜上得到孔洞阵列微结构；d、以c步骤中得到的具有微观结构的衬底作为基片，以纯Sn作为靶材，再次采用真空磁控溅射沉积镀膜的方法，沉积纯Sn；e、用热丙酮去除抗蚀剂PMMA，从而得到Al?Sn薄膜负极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘江文，刘佳，胡仁宗，曾美琴，朱敏，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：
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