【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种钠钙玻璃衬底上Cu(In1?xGax)Se2(CIGS)吸收层的沉积方法,其特征在于,其包括:蒸发Cu、Ga、Se在涂覆Mo的钠钙玻璃衬底上,形成CuGaSe2层,蒸发In、Ga和Se形成(In1?xGax)3Se5预置层,蒸发Cu和Se形成富铜化学计量比的Cu(InGa)Se2和二次相CuxSe,Br2水溶液刻蚀二次相CuxSe,蒸发In、Se,使表层形成贫铜富铟层。蒸发沉积In和Se,在刻蚀表面形成In2Se3层,然后退火,使CIGS表面成为富铟贫铜的镜状表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:马格林,张建柱,孙玉娣,彭博,
申请(专利权)人:任丘市永基光电太阳能有限公司,
类型:发明
国别省市:
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