半导体多孔氧化铋纳米球及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种可见光响应纳米光催化半导体材料的制备方法，其为具有均一多孔结构、尺寸，且具有良好分散性的纳米球，直径为60-120nm，为下述方法所得产物，包括有以下步骤：1)将铋源与去离子水配成溶液，然后向溶液中加入表面活性剂；2）将双氧水加入到步骤1）所得混合溶液中，得到的溶液转入反应釜中，反应，得到土黄色前驱体溶液；3）将得到的前驱体溶液自然冷却后洗涤，并置于烘箱中烘干；4）将烘干后得到的前驱体研磨均匀后放入管式炉中，煅烧，即得。本发明专利技术的有益效果是：该材料作为降解污染物材料，表现出优异的降解性能、较窄的能带间隙和较好的循环稳定性。本发明专利技术工艺简单，符合绿色化学的要求，利于市场化推广。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
半导体多孔氧化铋纳米球，其为具有均一多孔结构、尺寸，且具有良好分散性的纳米球，直径为60?120nm，为下述方法所得产物，包括有以下步骤：1）将铋源与去离子水配成溶液，然后向溶液中加入表面活性剂，铋源与表面活性剂的摩尔比为1:3?1:4，混合均匀；2）将0.5?1.5ml双氧水加入到25?35ml步骤1）所得混合溶液中，得到的溶液转入反应釜中，在180?220℃反应5?10小时，得到土黄色前驱体溶液；3）将得到的前驱体溶液自然冷却后洗涤，并置于60℃烘箱中使其完全烘干；4）将烘干后得到的前驱体研磨均匀后放入管式炉中，在空气氛围中400?900℃下煅烧1?5小时，得到黄色粉末即为半导体多孔氧化铋纳米球。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施伟东，官建国，孙晓莉，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：