一种钙钛矿薄膜的钝化方法技术

本发明专利技术涉及一种钙钛矿薄膜的钝化方法，包括以下步骤：1)制备表面富含碘化铅晶粒的FAPbI<subgt;3</subgt;钙钛矿薄膜；2)制备钝化层：将苯甲脒盐酸盐溶液通过狭缝涂布法涂覆于FAPbI<subgt;3</subgt;钙钛矿薄膜表面，再进行退火，苯甲脒盐酸盐与FAPbI<subgt;3</subgt;钙钛矿薄膜表面的碘化铅反应形成低维钝化层，实现对钙钛矿薄膜的钝化。本发明专利技术的钝化方法可以有效消除钙钛矿薄膜中的缺陷，在三维的FAPbI<subgt;3</subgt;钙钛矿薄膜表面形成低维钙钛矿对原本的薄膜进行良好地钝化，使得钙钛矿薄膜的稳定性和光电性能得到显著改善，适用于制备大面积钙钛矿太阳能电池模块，有着巨大的商业化应用潜力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池模块，具体涉及一种钙钛矿薄膜的钝化方法。

技术介绍

1、太阳能具有无污染的特点，被认为是最有利用价值的新兴能源之一，充分利用太阳能，对减少温室和污染气体的排放、实现可持续发展有着重要意义。

2、太阳能电池利用光伏效应将太阳能转化为电能，经历几十年的发展，经过了第一代的硅基电池，第二代的膜电池，发展出钙钛矿太阳能电池(psc)。钙钛矿薄膜的带隙可调，光吸收性能好，且载流子扩散距离长(微米级)，可通过溶液法印刷，比传统的光伏材料更具优势。

3、有机金属卤化物钙钛矿(abx3)薄膜是一种多晶薄膜，由紧密排列的晶粒组成，其中界面和晶界处通常存在大量缺陷，极大影响了薄膜整体的性能。由于薄膜制备工艺和前驱体溶液配方的影响，薄膜中的空位缺陷，特别是a位阳离子和x位的卤素离子空位缺陷最为普遍。这些缺陷的存在会导致严重的非辐射复合产生，降低了太阳能电池转换效率(pce)；其次，缺陷的存在会大大加快薄膜的老化速度，严重影响薄膜的性能稳定性。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钙钛矿薄膜的钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的钝化方法，其特征在于，步骤1)所述导电基底为刻蚀、清洗处理后的FTO或ITO基板；所述电子传输层为氧化锡薄膜、氧化钛薄膜、氧化锌薄膜中的一种。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的钝化方法，其特征在于，步骤1)所述FAPbI3钙钛矿薄膜厚度为600～800nm，其制备方法为：将甲脒氢碘酸盐、PbI2、甲胺盐酸盐粉末及氯化铅溶解到混合溶剂中得到FAPbI3钙钛矿前驱体溶液，所得FAPbI3钙钛矿前驱体溶液通过狭缝涂布法印刷到带有电子传输层的导电基底表面，印刷头与导电基底的狭...

【技术特征摘要】

1.一种钙钛矿薄膜的钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的钝化方法，其特征在于，步骤1)所述导电基底为刻蚀、清洗处理后的fto或ito基板；所述电子传输层为氧化锡薄膜、氧化钛薄膜、氧化锌薄膜中的一种。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的钝化方法，其特征在于，步骤1)所述fapbi3钙钛矿薄膜厚度为600～800nm，其制备方法为：将甲脒氢碘酸盐、pbi2、甲胺盐酸盐粉末及氯化铅溶解到混合溶剂中得到fapbi3钙钛矿前驱体溶液，所得fapbi3钙钛矿前驱体溶液通过狭缝涂布法印刷到带有电子传输层的导电基底表面，印刷头与导电基底的狭缝宽度为100～150μm，印刷头的移动速度为4～7mm/s，出液速率为0.6～1.5ml/min，风刀吹气的气压为0.3～0.6mpa，随后于120～150℃退火30～60min，在导电基底表面得到fapbi3钙钛矿薄膜。

4.根据权利要求3所述的钙钛矿薄膜的钝化方法，其特征在于，所述混合溶剂由乙二醇甲醚与二甲基亚砜按体积比9：1混合得到。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的钝化方法，其特征在于，步骤2)所述苯甲脒盐酸盐溶液浓度为1.0～...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄福志，高晓峰，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：