电子真空泵保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电子真空泵保护电路，能够有效地避免在装配和维修时出现线束装反导致电子真空泵反转、烧毁或缩短使用寿命的问题，电路结构简单，成本低，可以适用所有车型，它包括一单向导通电路，单向导通电路连接在电子真空泵的电源输入端，单向导通电路包括MOSFET开关管和电阻分压电路，MOSFET开关管通过漏极和源极串接在电子真空泵的电源输入回路中、通过栅极连接电阻分压电路，电阻分压电路并接在电子真空泵的电源输入端。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子真空泵，尤其涉及一种用于汽车的电子真空泵的保护电路。
技术介绍
由于电子真空泵体积小、重量轻、能够增加真空度，因此，在汽车制动助力系统中常常配合机械式真空泵构成性能优良的制动助力系统。然而在电子真空泵的装配维修中，由于线束装反导致电子真空泵反转而影响使用寿命甚至烧坏泵的现象发生。公开日为2011年01月26日、公开号为CN201721438U的专利文献公开了名称为一种电子真空泵的技术方案，其包括驱动总成、泵体总成、消音器总成，驱动总成安装在泵体上，泵体总成的传动轴插入偏心块上的孔以传递动力，消音器总成安装在泵体上，能够抵消由于运动产生的不平衡力，降低零件的振动与噪音。但是该技术方案依然不能防止由于接线错误导致的驱动总成中驱动电机的反向转动，反转带来的不良影响依然存在。
技术实现思路
本技术主要目的在于提供一种电子真空泵保护电路，防止接线错误导致电子真空泵反转或烧坏泵的现象发生。本技术针对现有技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的，一种电子真空泵保护电路，包括一单向导通电路，单向导通电路连接在电子真空泵的电源输入端，单向导通电路包括MOSFET开关管和电阻分压电路，MOSFET开关管通过漏极和源极串接在电子真空泵的电源输入回路中、通过栅极连接电阻分压电路，电阻分压电路并接在电子真空泵的电源输入端。使用MOSFET开关管作为单向导通控制元件，在正负电源连线错误时，MOSFET开关管不导通，电子真空泵无回路电流，从而实现对电子真空泵的保护。在电源连接正确时MOSFET开关管以几个毫欧姆的导通电阻导通，电能损耗极小，不会出现二极管单向导通电路那样的高损耗和较大的压降。电阻分压电路为MOSFET开关管提供电压偏置，并使栅极电压降低到安全电压范围内。作为优选，MOSFET开关管是NM0SFET开关管，NM0SFET开关管的漏极连接电源负极输入端、源极连接电子真空泵的负电源连接端、栅极连接电阻分压电路。作为优选，保护电路还包括一只稳压二极管，稳压二极管的阴极连接NM0SFET开关管的栅极、阳极连接NM0SFET开关管的源极。用以防止过高的脉动电压对NM0SFET开关管的冲击和干扰，增加NM0SFET开关管的工作稳定性和使用寿命。作为优选，在保护电路中还包括一扼流电感和一 EMC滤波电容，扼流电感一端连接电源正极输入端，另一端连接电子真空泵的正电源连接端和EMC滤波电容正极，EMC滤波电容的负极连接电子真空泵的负电源连接端。为防止电子真空泵工作时的波纹干扰MOSFET开关管的工作状态，增加扼流电感和EMC滤波电容对波纹干扰进行抑制。本技术带来的有益效果是，有效地避免了在装配和维修时出现线束装反导致电子真空泵反转、烧毁或缩短使用寿命的问题，电路结构简单，成本低，可以适用所有车型。附图说明图1是本技术的一种电路原理图。图中:1是单向导通电路，2是电子真空泵。具体实施方式下面通过实施例，并结合附图，对本技术的技术方案作进一步具体说明。实施例:如图1所示，本技术是一种电子真空泵保护电路。单向导通电路I连接在电子真空泵2的电源输入端。单向导通电路I包括MOSFET开关管BG、电阻Rl和电阻R2构成的电阻分压电路、稳压二极管D、扼流电感L和EMC滤波电容。MOSFET开关管BG为NM0SFET开关管，漏极D连接电源负极输入端源极S连接电子真空泵2的负电源连接端b，栅极G连接在电阻Rl和电阻R2的连接点f ;稳压二极管D的阴极连接栅极G、阳极连接源极S ;扼流电感L串接在正电源输入端“ + ”与电子真空泵2的正电源连接端a之间；EMC滤波电容并接在电子真空泵2的正负电源连接端a、b之间。当电源连接正确时，NM0SFET开关管BG的栅极G通过R1、R2获得正电压，NM0SFET开关管BG导通，电源正极通过电子真空泵2、NM0SFET开关管BG至电源负极形成电流回路，电子真空泵2正常工作；当电源反接时，NM0SFET开关管BG的栅极G通过R1、R2获得的电压为负，NM0SFET开关管BG截止，电子 真空泵2没有电流流过，电子真空泵2不工作。权利要求1.一种电子真空泵保护电路，其特征在于:包括一单向导通电路，所述单向导通电路连接在电子真空泵的电源输入端，所述单向导通电路包括MOSFET开关管和电阻分压电路，所述MOSFET开关管通过漏极和源极串接在电子真空泵的电源输入回路中、通过栅极连接所述电阻分压电路，所述电阻分压电路并接在电子真空泵的电源输入端。2.根据权利要求1所述一种电子真空泵保护电路，其特征在于:所述MOSFET开关管是NM0SFET开关管，所述NM0SFET开关管的漏极连接电源负极输入端、源极连接所述电子真空泵的负电源连接端、栅极连接所述电阻分压电路。3.根据权利要求2所述一种电子真空泵保护电路，其特征在于:还包括一只稳压二极管，所述稳压二极管的阴极连接NM0SFET开关管的栅极、阳极连接NM0SFET开关管的源极。4.根据权利要求1所述一种电子真空泵保护电路，其特征在于:还包括一扼流电感和一 EMC滤波电容，所述扼流电感一端连接电源正极输入端，另一端连接电子真空泵的正电源连接端和所述EMC滤波电容正极，所述EMC滤波电容的负极连接电子真空泵的负电源连接端。·专利摘要本技术公开了一种电子真空泵保护电路，能够有效地避免在装配和维修时出现线束装反导致电子真空泵反转、烧毁或缩短使用寿命的问题，电路结构简单，成本低，可以适用所有车型，它包括一单向导通电路，单向导通电路连接在电子真空泵的电源输入端，单向导通电路包括MOSFET开关管和电阻分压电路，MOSFET开关管通过漏极和源极串接在电子真空泵的电源输入回路中、通过栅极连接电阻分压电路，电阻分压电路并接在电子真空泵的电源输入端。文档编号H02H11/00GK203135437SQ20132001295公开日2013年8月14日 申请日期2013年1月10日 优先权日2013年1月10日专利技术者陆明明, 吴成明, 杨安志, 金吉刚, 董洪雷, 赵福全 申请人:浙江吉利汽车研究院有限公司杭州分公司, 浙江吉利汽车研究院有限公司, 浙江吉利控股集团有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子真空泵保护电路，其特征在于：包括一单向导通电路，所述单向导通电路连接在电子真空泵的电源输入端，所述单向导通电路包括MOSFET开关管和电阻分压电路，所述MOSFET开关管通过漏极和源极串接在电子真空泵的电源输入回路中、通过栅极连接所述电阻分压电路，所述电阻分压电路并接在电子真空泵的电源输入端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陆明明，吴成明，杨安志，金吉刚，董洪雷，赵福全，
申请(专利权)人：浙江吉利汽车研究院有限公司杭州分公司，浙江吉利汽车研究院有限公司，浙江吉利控股集团有限公司，
类型：实用新型
国别省市：