【技术实现步骤摘要】
本技术涉及LED封装领域,尤其涉及一种封装基板。
技术介绍
现有技术中倒装芯片的封装基板主要是硅(Si)或者陶瓷材料,由于此类材料对可见光有很强的吸收,虽然倒装芯片内部的反射镜会将光线向出光面反射,但从芯片侧面出来的光还是会射向基板并被吸收,从而导致芯片总的光通量下降。一般的倒装芯片在键合到子基板后,仍需要打线互联。由于封装胶受热后会发生形变,带动金线发生位移,存在金线断裂的风险,因而在现有的芯片封装技术下,若出现一颗芯片短路或者短路,则与其串联的芯片会处于全部失效或超负荷的状态,整体封装可靠性较差。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术中LED倒装芯片出光率低与连接可靠性的问题,提供一种有效增加出光率并且连接可靠的基于倒装芯片的封装基板。为达到以上目的,本技术提供了一种基于倒装芯片的封装基板,包括具有芯片绑定区域的子基板,所述的子基板的上方形成具有开口的反射层,所述的开口底部露出所述的芯片绑定区域表面,所述的子基板的下方形成有齐纳管,所述的子基板上具有与所述的芯片绑定区域对应的贯穿上下两面的开孔,所述的芯片绑定区域上形成有绑定电极,所述的绑定电极穿过所述的开孔 ...
【技术保护点】
一种基于倒装芯片的封装基板,其特征在于:包括具有芯片绑定区域的子基板(1),所述的子基板(1)的上方形成具有开口的反射层(4),所述的开口底部露出所述的芯片绑定区域表面,所述的子基板(1)的下方形成有齐纳管(2),所述的子基板(1)上具有与所述的芯片绑定区域对应的贯穿上下两面的开孔(3),所述的芯片绑定区域上形成有绑定电极(5),所述的绑定电极(5)穿过所述的开孔(3)覆盖在子基板(1)下方形成背面电极并将所述的齐纳管(2)反向并联于倒装芯片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈家洛,
申请(专利权)人:聚灿光电科技苏州有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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