卷对卷式原子层沉积设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种卷对卷式原子层沉积设备，包括：用于传动带状的待沉积样品的至少两个卷筒装置；用于向所述卷筒装置输出动力的动力装置，所述动力装置与所述卷筒装置联接；反应腔体，所述反应腔体的内部具有多个气道、以及与所述气道的方向相交的用于所述待沉积样品穿过的通道，所述反应腔体上具有与多个所述气道相对应的多个进气口以及出气口。本实用新型专利技术的卷对卷式原子层沉积设备，能够在大气压下甚至大气环境中进行原子层沉积，并且能够连续生产，满足了大规模工业化生产的要求。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种原子层沉积设备，尤其涉及一种卷对卷式原子层沉积设备。
技术介绍
单原子层沉积(ALD, Atomic Layer Deposition),又称为原子层沉积或原子层外延(Atomic Layer Epitaxy),最初是由芬兰科学家提出的并用于多晶突光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制，这些材料均可用于平板显示器。由于这一工艺涉及复杂的表面化学过程和低沉积速度，直至上世纪80年代中后期该技术并没有取得实质性的突破。直至20世纪90年代中期，人们对这一技术的兴趣在不断加强，这主要是由于微电子和深亚微米芯片技术的发展要求器件和材料的尺寸不断降低，而器件中的高宽比不断增加，所使用的材料厚度降低至几个纳米数量级。因此，原子层沉积技术的优势就体现出来，如单原子层逐次沉积，沉积层极均匀的厚度和优异的一致性等优异性能显著，相对来说，沉积速度慢的问题就不重要了。但是，现有的原子层沉积设备都还是在真空条件下反应，将反应物顺次通入反应器进行交替吸附反应。这个过程由于需要顺次通入反应物，而且为了排除反应物之间直接的化学气相反应，需要等待很长的时间从而将前一种反应物全部抽走，沉积速本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种卷对卷式原子层沉积设备，其特征在于，包括：用于传动带状的待沉积样品的至少两个卷筒装置；用于向所述卷筒装置输出动力的动力装置，所述动力装置与所述卷筒装置联接；反应腔体，所述反应腔体的内部具有多个气道、以及与所述气道的方向相交的用于所述待沉积样品穿过的通道，所述反应腔体上具有与多个所述气道相对应的多个进气口以及出气口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王东君，
申请(专利权)人：王东君，
类型：实用新型
国别省市：