一种P型准单晶硅太能阳电池PN结的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种P型准单晶硅太阳能电池PN结的制造方法，在反应容器内对P型准单晶硅片依次执行步骤：在在第一温度和第一压力下对P型准单晶硅片进行预处理，第一温度在700℃-750℃范围内，第一压力在-100pa至-50pa范围内；在第二温度和第一压力下通入扩散源，第二温度高于第一温度，且第二温度不大于800℃；在第三温度和第二压力下进行推进，第三温度高于700℃且低于第二温度，第二压力在100-300pa范围内；通入氮气和氧气的混合气体从而完成PN结的制造。本发明专利技术可有效降低晶向（100）区域和非（100）区域电池方阻的差别，为后续烧结工序带来便利，并提高电池的电性能和转化效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池制造
，尤其涉及一种P型准单晶硅太阳能电池PN结的制造方法。
技术介绍
PN结是构成太阳能电池最为核心的部分，因而PN结的制造工艺也是太阳能电池制造工艺中最为重要的环节之一，扩散掺杂法是制备太阳能电池PN结的常用方法，所谓扩散掺杂法就是在高温条件下利用特定杂质进行扩散，将杂质原子掺杂到硅基底中使其在特定区域具形成PN结。所谓准单晶硅其实就是原子排列相对有序的多晶硅，其晶向一致性较多晶硅高，晶界明显减少，并且原子排列比较有序，光电转换效率也高于多晶硅很多，而P型准单晶硅即为多数载流子为空穴的准单晶硅。根据扩散源的不同，目前扩散掺杂法可以分为液态源扩散、气态源扩散和固态源扩散，其中液态源扩散是目前太阳能电池制造企业内制作准单晶硅太阳能电池PN结时普遍采用的掺杂方法，具体包括以下步骤:Sll:将硅基底放入到温度不低于830°C且压力在5pa_20pa范围内的反应容器内；S12:保持温度和压力，通入扩散源并保持适当时间；S13:将温度降至800°C推进合适的时间，完成PN结的制造过程。虽然这种方法可以完成PN接的制造过程，但是采用该种方法所制造出来的准单晶硅太本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种P型准单晶硅太阳能电池PN结的制造方法，其特征在于，在反应容器内依次对制绒清洗完毕的P型准单晶硅片执行以下步骤：1）在第一温度和第一压力下对P型准单晶硅片进行预处理，所述第一温度在700℃?750℃范围内，所述第一压力在?100pa至?50pa范围内；2）在第二温度和所述第一压力下通入扩散源，所述第二温度高于所述第一温度，且所述第二温度不大于800℃；3）在第三温度和第二压力下进行推进，所述第三温度高于700℃且低于所述第二温度，所述第二压力在100?300pa范围内；4）在所述第三温度和常压下通入氮气和氧气的混合气体从而完成PN结的制造。

【技术特征摘要】
1.一种P型准单晶硅太阳能电池PN结的制造方法，其特征在于，在反应容器内依次对制绒清洗完毕的P型准单晶硅片执行以下步骤: O在第一温度和第一压力下对P型准单晶硅片进行预处理，所述第一温度在7000C _750°C范围内，所述第一压力在-1OOpa至-50pa范围内； 2)在第二温度和所述第一压力下通入扩散源，所述第二温度高于所述第一温度，且所述第二温度不大于800°C ； 3)在第三温度和第二压力下进行推进，所述第三温度高于70(TC且低于所述第二温度，所述第二压力在100-300pa范围内； 4)在所述第三温度和常压下通入氮气和氧气的混合气体从而完成PN结的制造。2.根据权利要求1所述的P型准单晶硅太阳能电池PN结的制造方法，其特征在于，所述步骤2)通入扩散源应持续10-15分钟，所述步骤3)中的推进时间为5-35分钟。3.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王立建，
申请(专利权)人：浙江昱辉阳光能源江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：