N型太阳能电池及其选择性背场制备方法技术

技术编号:8981417 阅读:164 留言:0更新日期:2013-07-31 23:29
本发明专利技术提供一种N型太阳能电池及其选择性背场制备方法。该N型太阳能电池的选择性背场制备方法包括以下步骤:在N型衬底的预定位置印刷磷浆料;将印刷有磷浆料的所述N型衬底进行高温扩散,并通入三氯氧磷气体,形成选择性背场。N型衬底上印有磷浆料的位置形成高掺杂区,没有印刷磷浆料的位置通过三氯氧磷气体的扩散形成低掺杂区,这样就在N型衬底上形成掺杂浓度不同的选择性背场,通过此方法仅通过一次高温过程即可实现选择性背场的制备,避免了多次高温对N型衬底的损伤。

【技术实现步骤摘要】
N型太阳能电池及其选择性背场制备方法
本专利技术涉及太阳能电池制造领域,具体而言,涉及一种N型太阳能电池及其选择性背场制备方法。
技术介绍
目前大多数太阳能光伏企业都使用P型硅材料生产太阳电池。P型硅电池的缺点是电池的效率会随光照时间的增加而逐渐衰减,这主要是由于掺入P型硅衬底中的硼原子与衬底中的氧原子相结合产生硼氧对的结果,硼氧对起载流子陷阱的作用,使少数载流子寿命降低,从而导致了电池效率的衰减。而N型硅衬底具有高的少数载流子寿命和对某些金属杂质的不敏感性,所以N型硅电池具有高的效率和好的稳定性。目前选择性背场结构一般都应用在P型硅电池的制作过程中,通常的制造方法有三种:(1)氧化物掩膜一次扩散法,在制绒后,通过热生长方法生长一层较薄的氧化层,然后根据丝网印刷正面电极的团在氧化层上开槽,再用弱碱清洗激光损伤层。在磷扩散时,没有开槽区域由于有氧化层的阻挡作用形成低掺杂区,开槽的区域形成高掺杂区。此种方法硅片经历氧化和扩散两次高温过程,高温损伤比常规工艺要大,对硅片质量要求较高。(2)返刻工艺,在重扩散之后,在金属区域用喷墨打印的方法打印与正面栅线图案相同的石蜡作为掩膜,然后利用HF/本文档来自技高网...
N型太阳能电池及其选择性背场制备方法

【技术保护点】
一种N型太阳能电池的选择性背场制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在N型衬底的预定位置印刷磷浆料;将印刷有所述磷浆料的所述N型衬底进行高温扩散,并通入三氯氧磷气体,形成选择性背场。

【技术特征摘要】
1.一种N型太阳能电池的选择性背场制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在N型衬底的预定位置印刷磷浆料;将印刷有所述磷浆料的所述N型衬底进行高温扩散,并通入三氯氧磷气体,形成选择性背场;所述在N型衬底的预定位置印刷磷浆料的步骤之前,还包括:在所述N型衬底上制绒;所述在N型衬底的预定位置印刷磷浆料的步骤与所述将印刷有所述磷浆料的所述N型衬底进行高温扩散,并通入三氯氧磷气体,形成选择性背场的步骤之间,还包括:将印刷有所述磷浆料的所述N型衬底烘干;所述将印刷有所述磷浆料的所述N型衬底进行高温扩散,并通入三氯氧磷气体,形成选择性背场的步骤中,所述三氯氧磷气体由氮气携带通入高温扩散炉内进行高温扩散;所述将印刷有所述磷...

【专利技术属性】
技术研发人员:郎芳张伟王红芳王英超张生利赵文超李高非胡志岩熊景峰
申请(专利权)人:英利集团有限公司
类型:发明
国别省市:

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