一种双面晶体硅太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种双面晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)将原始硅片进行清洗，去损伤层、制绒；(2)在硅片的两面分别进行扩散制结；(3)对硅片侧面进行刻蚀；(4)去除硅片表面的掺杂玻璃层；(5)在硅片的两面进行钝化；(6)在硅片的两面分别沉积减反膜；(7)在硅片两面的减反膜上分别设置石墨烯透明导电薄膜；(8)在硅片的两面分别印刷金属电极，烧结，即可得到双面晶体硅太阳能电池。本发明专利技术在硅片两面分别设置石墨烯透明导电薄膜，形成电极；试验证明，与现有的ITO透明导电膜相比，本发明专利技术制得的太阳能电池的光电转换效率提高了0.2~0.5%，取得了意想不到的技术效果，具有创造性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于太阳电池领域。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在所有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳能电池中，晶体硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时晶体硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能，因此，晶体硅太阳能电池在光伏领域占据着重要的地位。传统的晶体硅太阳电池一般都是单面受光型，其背面为全铝背场，其缺点在于:铝背场的表面复合速率较高，对效率的提高有着很大的制约；此外，铝背场电池封装后散热性较差，容易在工作过程中由于温度升高而导致效率下降。在当今硅材料日益紧缺的情况下，为了充分提高太阳电池的输出功率，双面晶体硅太阳电池已经成为研究的热点。双面电池的正面和背面均需要通过与导电银浆形成欧姆接触，但随着太阳能市场的快速增大，导电银浆的耗量和价格也随之上升。双面电池的银浆耗量接近传统单面电池的两倍(传统单面电池片的银浆耗量为0.Γ0.15g/片，双面电池片的银浆耗量为0.3^0.4g/片)，这给双面电池的生产带来了很大的成本压力。针对上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)?将原始硅片进行清洗，去损伤层、制绒；(2)?在硅片的两面分别进行扩散制结；(3)?对硅片侧面进行刻蚀；(4)?去除硅片表面的掺杂玻璃层；(5)?在硅片的两面进行钝化；(6)?在硅片的两面分别沉积减反膜；(7)?在硅片两面的减反膜上分别设置石墨烯透明导电薄膜；(8)?在硅片的两面分别印刷金属电极，烧结，即可得到双面晶体硅太阳能电池。

【技术特征摘要】
1.一种双面晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:(1)将原始硅片进行清洗，去损伤层、制绒；(2)在硅片的两面分别进行扩散制结；(3)对硅片侧面进行刻蚀；(4)去除硅片表面的掺杂玻...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨智，王栩生，章灵军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：