一种异质结电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种异质结电池的制备方法，包括如下步骤：在n型硅片的正面沉积第一非晶硅本征层，这里的n型硅片可以是单晶或是多晶硅片；在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅p层；在所述非晶硅p层上沉积第一掺硼氧化锌薄膜；在所述硅片的背面形成背电极和铝背场；在所述硅片的正面形成正电极。另外，本发明专利技术还公开了一种双面异质结电池的制备方法。本发明专利技术采用掺硼氧化锌薄膜除替代ITO薄膜作为减反膜，由于掺硼氧化锌的特殊性质，特别是光陷作用，掺硼氧化锌可以起到良好的减反射作用，这样就省去了制绒的步骤，简化了制备工艺，由于多晶硅制绒更加具有挑战性，本发明专利技术对采用多晶硅硅片的异质结电池更加有意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，具体地说涉及。
技术介绍
近年来，太阳能电池应用取得了惊人的进步。晶体硅太阳能电池具有光电转换效率高，生产技术成熟等优点，一直以来占据着世界太阳能电池总产量的绝大部分。虽然晶体硅太阳能电池的生产工艺一直在不断进步，但是传统晶体硅太阳能电池生产中的高温扩散制pn结工艺导致的一系列发射极问题以及缺乏良好的表面钝化机制还没有得到很好地改善，因此限制了电池效率的提升。同时，业界一直在努力探索低成本、高产量的高效率薄膜太阳能电池制造技术。由于氢化非晶硅(a_S1:H)太阳能电池生产工艺温度较低(400°C以下)，且不使用硅片，便于大规模生产，因此受到了普遍重视并得到迅速发展。但是，氢化非晶硅太阳电池的光致退化问题始终没有得到很好的解决，此外其光电转换效率还有待进一步提高。研究人员一直探索把晶体硅电池和薄膜电池的优势结合起来形成更高效的电池。一种方法是用宽带隙的氢化非晶硅层作为窗口层或发射极，窄带隙的单晶硅、多晶硅片作衬底，形成所谓的异质结太阳电池。这种电池利用了薄膜制造工艺优势的同时又发挥了晶体硅和非晶硅的材料性能特点，具有实现高效低成本硅太阳能电池的发展前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种异质结电池的制备方法，其中，包括如下步骤：a）在n型硅片的正面沉积第一非晶硅本征层；b）在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅p层；c）在所述非晶硅p层上沉积第一掺硼氧化锌薄膜；d）在所述n型硅片的背面形成背电极和铝背场；e）在所述n型硅片的正面形成正电极。

【技术特征摘要】
1.一种异质结电池的制备方法，其中，包括如下步骤: a)在η型娃片的正面沉积第一非晶娃本征层； b)在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅P层； c)在所述非晶硅P层上沉积第一掺硼氧化锌薄膜； d)在所述η型硅片的背面形成背电极和铝背场； e)在所述η型硅片的正面形成正电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述第一非晶硅本征层的厚度范围为5nm 30nmo3.根据权 利要求1所述的制备方法，其中，所述非晶硅P层的厚度范围为5nm 30nm。4.根据权利要求1 3中任意一项所述的制备方法，其中，所述掺硼氧化锌薄膜的厚度范围为500nm lOOOnm。5.一种双面异质结电池的制备方法，其中，包括如下步骤: a)在η型娃片的正面沉积第一非晶娃本征层； b)在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅P层； c)...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛新伟，郁操，丁澜，戎俊梅，刘石勇，王明华，胡金艳，韩玮智，朱永敏，张华，冯涛，金建波，仇展炜，杨立友，
申请(专利权)人：浙江正泰太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：