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本发明公开了一种异质结电池的制备方法，包括如下步骤：在n型硅片的正面沉积第一非晶硅本征层，这里的n型硅片可以是单晶或是多晶硅片；在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅p层；在所述非晶硅p层上沉积第一掺硼氧化锌薄膜；在所述硅片的背面形成背电极和铝...
该专利属于浙江正泰太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江正泰太阳能科技有限公司授权不得商用。

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