太阳能电池的制造方法技术

技术编号:8713035 阅读:139 留言:0更新日期:2013-05-17 17:20
本发明专利技术提供一种太阳能电池的制造方法,其能够不使制造效率降低,而有效地防止异物的附着导致的光电转换性能的降低和漏泄的发生。一种太阳能电池的制造方法,该太阳能电池具有在基板的一个表面依次层叠有第一电极、光电转换层、第二电极的构造,光电转换层构成为层叠有多个光电转换单元的多结型光电转换层,光电转换单元具有多个层,上述太阳能电池的制造方法中,在形成光电转换单元的最厚的层后、且在形成另外层叠的光电转换单元中任何最厚的层之前的过程中,包括至少一个以上对在所述过程内形成的层的表面进行清洗的步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有在基板的一个表面依次层叠有第一电极、光电转换层、第二电极的构造的。
技术介绍
太阳能电池中有Si (硅)类的薄膜太阳能电池、不使用Si的化合物形太阳能电池等。在这种太阳能电池中,一般而言,第一电极、光电转换层、第二电极依次层叠于透射性或非透射性的基板上。在基板为透射性的情况下,太阳光可能从第一电极和第二电极两方入射,能够将太阳能电池的第一电极侧和第二电极侧的两方设为受光面侧。另一方面,在基板为非透射性的情况下,将太阳能电池的第二电极侧设为受光面侧。这种受光面侧的电极使用透明电极。另一方面,受光面侧的相反侧的电极使用电阻值低的电极,也有该电极使用透明电极的情况。另外,为了使入射的光在光电转换层内长时间滞留并且提高光吸收量,大多将各电极的表面形成为纹理(texture)形状。作为形成这种电极的方法,一般而言采用使用真空装置实施溅射、蒸镀等处理的方法。作为使光电转换层成膜的方法,多数情况下采用等离子体CVD法、溅射法、蒸镀法等。光电转换层使用将P型半导体和n型半导体接合的pn型的光电转换单元、或者在p型半导体与n型半导体间配置有实质性的本征的i型半导体的pin型光电转换本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池的制造方法,所述太阳能电池具有在基板的一个表面依次层叠有第一电极、光电转换层和第二电极的构造,所述光电转换层构成为层叠有多个光电转换单元的多结型光电转换层,所述光电转换单元具有多个层,所述太阳能电池的制造方法的特征在于:在形成在所述第一电极上形成的最下位的所述光电转换单元的多个层中最厚的层之后、且形成最上位的所述光电转换单元的多个层中最厚的层之前的过程中,包括至少一个以上对在所述过程内形成的层的表面进行清洗的步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:下泽慎
申请(专利权)人:富士电机株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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