铁酸铋/钛酸铋钠-钛酸钡异质结构铁电薄膜太阳能电池的制备方法技术

技术编号:8656786 阅读:423 留言:0更新日期:2013-05-02 00:34
本发明专利技术涉及一种铁酸铋/钛酸铋钠-钛酸钡异质结构铁电薄膜太阳能电池的制备方法,选择掺杂氟的SnO2透明导电玻璃(简称FTO)作为基底,通过化学溶液沉积法制备具有钙钛矿结构的(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3以及BiFeO3铁电薄膜,然后通过物理溅射法在薄膜表面制备上电极即可。与现有技术相比,本发明专利技术能够以低的成本在FTO基板上制备出一致性高,重复性好的铁电光伏薄膜。所制备的异质结构薄膜具有比纯BiFeO3薄膜更为优越的光伏性能,可使其在光伏电池及光电子器件领域中获得应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于薄膜沉积及光伏电池制备
,具体涉及一种在氟掺杂Sn02透明导电玻璃(FTO)基板上制备BiFeCV(Naa5Bia5)a94Baatl6TiO3(BFCVNBT-BT)异质结构铁电薄膜光伏电池的方法。
技术介绍
光伏发电是太阳能利用的一种有效方式,是可再生能源利用中重要的组成部分,也是近年来发展最快、最具活力、最受瞩目的研究领域。目前光伏发电在整个能源结构中所占的比重还很小(不到1%),其中最主要的原因是成本太高。据统计,传统的晶硅电池组件成本的65%来自硅片,消耗硅资源多,原材料供应紧张,很难适应未来大规模推广应用的需求。而薄膜太阳电池以其自身特殊的优势在近几年得到了迅速发展:薄膜的使用能够很大程度地节省原材料,降低电池成本;可以采用低温制备技术降低能耗,缩短能源回收期;低温技术的采用还使得玻璃、塑料等廉价衬底的使用成为现实;材料和电池同步制备,工艺简单,可以大面积连续化自动生产。一般而言,半导体的光伏效应是由宏观不均匀性造成的,产生光伏电压一般不超过半导体的禁带宽度。而铁电材料具有完全不同于半导体的反常光伏(APV)效应:均匀铁电晶体在均匀光照下出现稳态短路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铁酸铋/钛酸铋钠?钛酸钡异质结构铁电薄膜太阳能电池的制备方法,?其特征在于包括以下步骤:?(1)首先通过化学溶液沉积法在FTO基板上沉积钙钛矿结构的钛酸铋钠?钛酸钡(NBT?BT)薄膜,得到NBT?BT/FTO基板;?(2)在带有NBT?BT薄膜的NBT?BT/FTO基板上,通过化学溶液沉积法在其上沉积BiFeO3(BFO)薄膜,获得铁酸铋/钛酸铋钠?钛酸钡(BFO/NBT?BT)异质结构铁电薄膜;?(3)在带孔掩膜板的遮挡下采用物理溅射方法在BFO铁电薄膜表面制备上电极,得到BFO/NBT?BT异质结构铁电薄膜太阳能电池。

【技术特征摘要】
1.一种铁酸铋/钛酸铋钠-钛酸钡异质结构铁电薄膜太阳能电池的制备方法, 其特征在于包括以下步骤: (1)首先通过化学溶液沉积法在FTO基板上沉积钙钛矿结构的钛酸铋钠-钛酸钡(NBT-BT)薄膜,得到 NBT-BT/FT0 基板; (2)在带有NBT-BT薄膜的NBT-BT/FT0基板上,通过化学溶液沉积法在其上沉积BiFeO3(BFO)薄膜,获得铁酸铋/钛酸铋钠-钛酸钡(BF0/NBT-BT)异质结构铁电薄膜; (3)在带孔掩膜板的遮挡下采用物理溅射方法在BFO铁电薄膜表面制备上电极,得到BF0/NBT-BT异质结构铁电薄膜太阳能电池。2.根据权利要求1所述的在FTO基板上制备BF0/NBT-BT异质...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭益平郭兵刘河洲李华陶文燕康红梅
申请(专利权)人:上海交通大学
类型:发明
国别省市:

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