一种用于等离子体处理装置的载片台制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，所述基片位于所述载片台上方，其中，所述载片台包括：第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括：第一电介质层，其中设置有一个或多个真空空洞；第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方，并埋设有用于产生静电吸力的电极；第三介电质层，其植入所述第一电介质层中，其中，所述第三介电质层和所述第一介电质层的介电常数不同。本发明专利技术还提供了一种包括上述载片台的等离子体处理装置。本发明专利技术能够改善边缘效应，提高制程均一性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于等离子体处理装置的载片台。
技术介绍
半导体工艺件的边缘效应是困扰半导体产业的一个问题。所谓半导体工艺件的边缘效应是指在等离子体处理过程中，由于等离子体受电场控制，而上下两极边缘处的场强会受边缘条件的影响，总有一部分电场线弯曲，而导致电场边缘部分场强不均，进而导致该部分的等离子体浓度不均匀。在该种情况下，生产出的半导体工艺件周围也存在一圈处理不均匀的区域。这一不均匀现象在射频电场频率越高时越明显，在射频频率大于60MHZ甚至大于IOOMhz时这一等离子浓度的不均匀性程度已经很难再用其它装置如位于静电夹盘边缘的聚集环来调控。由于半导体工艺件是圆形的，因此愈外圈面积愈大，边缘部分的各个工艺环节的均一性不佳将导致成品率显著下降。在普遍采用300mm制程的今天，半导体工艺件边缘效应带来的损失更为巨大。因此，业内需要能够简单有效地改善边缘效应，提高制程均一性。
技术实现思路
针对
技术介绍
中的上述问题，本专利技术提出了能够改善均一性的用于等离子体处理装置的载片台。本专利技术第一方面提供一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，所述基片位于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，所述基片位于所述载片台上方，其特征在于，所述载片台包括：第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括：第一电介质层，其中设置有一个或多个真空空洞；第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方，并埋设有用于产生静电吸力的电极；第三介电质层，其植入所述第一电介质层中，其中，所述第三介电质层和所述第一介电质层的介电常数不同。

【技术特征摘要】
1.一种应用于等离子体处理装置的用于承载基片的载片台，其中，所述基片位于所述载片台上方，其特征在于，所述载片台包括: 第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体， 静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括: 第一电介质层，其中设置有一个或多个真空空洞； 第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方，并埋设有用于产生静电吸力的电极； 第三介电质层，其植入所述第一电介质层中，其中，所述第三介电质层和所述第一介电质层的介电常数不同。2.根据权利要求1所述的载片台，其特征在于，所述第三介电质层植入于对应于所述基片中央区域下方的所述第一电介质层中，其中，所述第三电介质层的介电常数小于所述第一介电质层的介电常数。3.根据权利要求2所述的载片台，其特征在于，所述一个或多个真空空洞设置于对应于所述基片中央区域下方的所述第一电介质层中。4.根据权利要求2所述的载片台，其特征在于，所述一个或多个真空空洞分别设置于对应于所述基片中央区域和边缘区域，以及位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶铮，凯文·佩尔斯，松尾裕史，曹雪操，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：