一种高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法技术

本发明专利技术公开了一种高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法，包括以下步骤：（1）材料培养，（2）材料消毒，（3）外植体芽诱导，（4）继代增值培养，（5）病毒检测，（6）生根培养，（7）炼苗、移栽。本发明专利技术根据病毒在植株顶端生长点的数量远远少于植株下部的成熟部位的原理，加大取生长点的代数，达到脱毒的目的。本发明专利技术采用低激素浓度、改良MS基本培养基和三天的暗培养的方法，大大降低了脱毒组培苗的变异率，加快了组培苗的生长速度，缩短了繁殖周期，扩繁速度高，生产成本低。

An efficient industrial production of Potato Virus-free technology Plantlets

The invention discloses a high efficient industrial production of Potato Virus-free technology of plantlets, which comprises the following steps: (1) material culture, (2) material disinfection (3) induced buds (4), following the generation of value-added training, (5) virus detection, rooting culture, (6) (7 seedling, transplanting). According to the principle that the number of the growth points of the virus at the top of the plant is far less than that of the mature part of the lower part of the plant, the algebra of the growth point is increased to achieve the purpose of detoxification. The invention adopts the method of dark culture medium and three days of basic training of low concentration of hormone, improved MS, greatly reducing the removal of the mutant virus seedling rate, accelerate seedling growth rate, shorten the breeding cycle, the propagation speed is high, the production cost is low.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于农业生物
，具体涉及。
技术介绍
番薯(Ipomoea batatas Lam.)是一种重要的粮食、饲料和工业原料作物，具有产量高、营养丰富、稳产性好等优点。然而，由于番薯病毒病的广泛存在，以及生产中番薯以薯块进行无性繁殖，造成病毒病的蔓延，从而造成番薯产量降低、品质下降、种性退化。目前科研上主要通过茎尖 离体培养获得脱毒种苗，但此方法运用于产业化大批量生产，扩繁速度慢，变异率高，生产成本高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供了一种方法简单、成本低、变异率低、扩繁速度快、缩短了繁殖周期的高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法。为了实现上述目的，本专利技术的技术方案为:提供，包括以下步骤:(I)材料培养从大田取回待脱毒番薯的20 30 cm长的茎段，扦插在大棚苗床上，让其生长新枝；过程中，每星期浇一次营养液，每5天用50%多菌灵或百菌清500倍喷叶及周围环境，每天晚上用75%酒精喷一次周围环境，以保棚内环境清洁；待新长出的枝长到8 10 cm时，剪下新枝，重新扦插到新的培养基上，用同样的方法让它长出新枝；(2)材料消毒待二次扦插苗的新枝长到8 Cm以上时，取两三节长的茎段，剪下后放入消毒过的密封玻璃瓶中密封，拿到超净工作台，用75%酒精浸19 20秒，再用0.1%升汞消毒5 7分钟，最后用无菌水冲洗4 5次；(3)外植体芽诱导切取I Cm消毒过的外植体的腋节位接种到外植体芽诱导培养基，接种后进行三天时间的暗培养，温度设28±2°C，在光周期16小时以上，光强2000LX以上；(4)继代增值培养外植体培养25天，薯苗长至3 Cm 6 Cm时，取每株生长点2 4_单独培养于继代增殖培养基，剩余茎段单节培养于继代增殖培养基，接种后进行三天暗培养，温度设28±2°C，在光周期16小时以上，光强2000LX以上；三天后便可生根，下代再取生长点和单节茎段培养，12 15天或20天继代一次，增殖系数可达4 5倍；(5)病毒检测增殖第三、四代后便进行病毒检测，首先采用目测法，淘汰弱苗和显症苗，然后随机抽样采用指示植物法进行鉴定，随机抽样脱毒率低于100%，则加大培养代数，直至随机抽样脱毒率达100% ；(6)生根培养取每株生长点2 4mm接到生根培养基，增强光照时间和光照强度，或放在自然光下培养生根；(7)炼苗、移栽生根好后的苗在放在自然光下炼苗I周，再打开瓶口放3 5天，然后洗净培养基，剪去过长的根，放入0.2%高锰酸钾浸泡I 2分钟，取出凉干后，栽入培养土，然后再盖一层拱膜，每天都要让其通风排气，保持培养土湿润，湿度在80 85%，待其长到5 8片新叶移栽大田。外殖体芽诱导的培养基配方为:MS+6-BA O 0.5mg/L+IBA O 0.5mg/L+白糖 30g+活性碳3 6g+琼脂6g ；继代增殖培养的培养基配方为:改良MS+IBA O 0.5mg/L+白糖30g+琼脂6g ；生根培养的培养基配方为:改良2/3MS+IBA O 0.5mg/L+白糖30g+琼脂6g+活性碳3 6g。改良MS培养基配方(单位:mg / L )权利要求1.，其特征在于包括以下步骤:(1)材料培养 从大田取回待脱毒番薯的20 30 Cm长的茎段，扦插在大棚苗床上，让其生长新枝；过程中，每星期浇一次营养液，每5天用50%多菌灵或百菌清500倍喷叶及周围环境，每天晚上用75%酒精喷一次周围环境，以保棚内环境清洁；待新长出的枝长到8 10 cm时，剪下新枝，重新扦插到新的培养基上，用同样的方法让它长出新枝； (2)材料消毒 待二次扦插苗的新枝长到8 cm以上时，取两三节长的茎段，剪下后放入消毒过的密封玻璃瓶中密封，拿到超净工作台，用75%酒精浸19 20秒，再用0.1%升汞消毒5 7分钟，最后用无菌水冲洗4 5次； (3)外植体芽诱导 切取I cm消毒过的外植体的腋节位接种到外植体芽诱导培养基，接种后进行三天时间的暗培养，温度设28±2°C，在光周期16小时以上，光强2000LX以上； (4)继代增值培养 外植体培养25天，薯苗长至3 cm 6 cm时，取每株生长点2 4mm单独培养于继代增殖培养基，剩余茎段单节培养于继代增殖培养基，接种后进行三天暗培养，温度设28±2°C，在光周期16小时以上，光强2000LX以上；三天后便可生根，下代再取生长点和单节茎段培养，12 15天或20天继代一次，增殖系数可达4 5倍； (5)病毒检测 增殖第三、四代后便进行病毒检测，首先采用目测法，淘汰弱苗和显症苗，然后随机抽样采用指示植物法进行鉴定，随机抽样脱毒率低于100%，则加大培养代数，直至随机抽样脱毒率达100% ； (6)生根培养 取每株生长点2 4mm接到生根培养基，增强光照时间和光照强度，或放在自然光下培养生根； (7)炼苗、移栽 生根好后的苗在放在自然光下炼苗I周，再打开瓶口放3 5天，然后洗净培养基，剪去过长的根，放入0.2%高锰酸钾浸泡I 2分钟，取出凉干后，栽入培养土，然后再盖一层拱膜，每天都要让其通风排气，保持培养土湿润，湿度在80 85%，待其长到5 8片新叶移栽大田。2.如权利要求1所述的，其特征在于: 外殖体芽诱导的培养基配方为:MS+6-BA O 0.5mg/L+IBA O 0.5mg/L+白糖30g+活性碳3 6g+琼脂6g ； 继代增殖培养的培养基配方为:改良MS+IBA O 0.5mg/L+白糖30g+琼脂6g ； 生根培养的培养基配方为: 改良2/3MS+IBA O 0.5mg/L+白糖30g+琼脂6g+活性碳.3 6g0 改良MS培养基配方:全文摘要本专利技术公开了，包括以下步骤(1)材料培养，(2)材料消毒，(3)外植体芽诱导，(4)继代增值培养，(5)病毒检测，(6)生根培养，(7)炼苗、移栽。本专利技术根据病毒在植株顶端生长点的数量远远少于植株下部的成熟部位的原理，加大取生长点的代数，达到脱毒的目的。本专利技术采用低激素浓度、改良MS基本培养基和三天的暗培养的方法，大大降低了脱毒组培苗的变异率，加快了组培苗的生长速度，缩短了繁殖周期，扩繁速度高，生产成本低。文档编号A01H4/00GK103202232SQ201310152349公开日2013年7月17日 申请日期2013年4月27日 优先权日2012年9月26日专利技术者朱红林, 王效宁, 刘迪, 孟卫东, 齐兰 申请人:海南省农业科学院粮食作物研究所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高效产业化生产番薯脱毒组培苗的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）材料培养从大田取回待脱毒番薯的20～30㎝长的茎段，扦插在大棚苗床上，让其生长新枝；过程中，每星期浇一次营养液，每5天用50%多菌灵或百菌清500倍喷叶及周围环境，每天晚上用75%酒精喷一次周围环境，以保棚内环境清洁；待新长出的枝长到8～10㎝时，剪下新枝，重新扦插到新的培养基上，用同样的方法让它长出新枝；（2）材料消毒待二次扦插苗的新枝长到8㎝以上时，取两三节长的茎段，剪下后放入消毒过的密封玻璃瓶中密封，拿到超净工作台，用75%酒精浸19～20秒，再用0.1%升汞消毒5～7分钟，最后用无菌水冲洗4～5次；（3）外植体芽诱导切取1㎝消毒过的外植体的腋节位接种到外植体芽诱导培养基，接种后进行三天时间的暗培养，温度设28±2℃，在光周期16小时以上，光强2000LX以上；（4）继代增值培养外植体培养25天，薯苗长至3㎝～6㎝时，取每株生长点2～4mm单独培养于继代增殖培养基，剩余茎段单节培养于继代增殖培养基，接种后进行三天暗培养，温度设28±2℃，在光周期16小时以上，光强2000LX以上；三天后便可生根，下代再取生长点和单节茎段培养，?12～15天或20天继代一次，增殖系数可达4～5倍；（5）病毒检测增殖第三、四代后便进行病毒检测，首先采用目测法，淘汰弱苗和显症苗，然后随机抽样采用指示植物法进行鉴定，随机抽样脱毒率低于100%，则加大培养代数，直至随机抽样脱毒率达100%；（6）生根培养取每株生长点2～4mm接到生根培养基，增强光照时间和光照强度，或放在自然光下培养生根；（7）炼苗、移栽生根好后的苗在放在自然光下炼苗1周，再打开瓶口放3～5天，然后洗净培养基，剪去过长的根，放入0.2%高锰酸钾浸泡1～2分钟，取出凉干后，栽入培养土，然后再盖一层拱膜，每天都要让其通风排气，保持培养土湿润，湿度在80～85%，待其长到5～8片新叶移栽大田。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱红林，王效宁，刘迪，孟卫东，齐兰，
申请(专利权)人：海南省农业科学院粮食作物研究所，
类型：发明
国别省市：