【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
埋层扩散(BLN+)是双极型集成电路和双极性工艺为基础的BiCMOS集成电路制造中必不可少的工艺之一，它是为了解决集成电路中晶体管集电极引线(连线)必须走向表面，造成集电区串联电阻增大、晶体管饱和压降增大等矛盾而引入的，在衬底外延之前，必须先形成低阻的N +型薄层的工艺即埋层扩散，以降低集电区串联电阻，以及减小寄生pnp晶体管的影响，(见图1所示)。但现有常规埋层扩散存在如下问题:有的工艺复杂、有的对后续工艺影响大要求严格工艺兼容性差、有的造成晶体管饱和压降偏大且不易控制等等问题。因此有必要对此进行改进。
技术实现思路
本专利技术的任务是提供一种锑乳胶源埋层扩散方法，用锑作为杂质源的乳胶源热扩散方法制备埋层扩散层，为此，同时相应提供与之对应的专用设备一用于锑乳胶源埋层扩散的专用设备。本专利技术的任务是由如下技术方案来实现的: 一、用于锑乳胶源埋层扩散的专用设备，所述的专用设备设有扩散高温炉、石英扩散管、排气口、进气口、均流石英装置；石英扩散管设置在扩散高温炉中，石英扩散管的前部设有进气口，进气口与均流石英装置相连，石英扩散管的后部设排气...
【技术保护点】
一种用于锑乳胶源埋层扩散方法的专用设备,其特征在于,所述的专用设备设有扩散高温炉、石英扩散管、排气口、进气口、均流石英装置;石英扩散管设置在扩散高温炉中,石英扩散管的前部设有进气口,?进气口与均流石英装置相连,?石英扩散管的后部设排气口,扩散高温炉分为为三区,炉外设有三区温控装置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄福仁，黄赛琴，林吉申，林志雄，陈轮兴，杨忠武，
申请(专利权)人：福建省安特半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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