一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法技术

本发明专利技术提供了一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法，包括如下步骤：步骤(1)，将碳化硼粉和碳粉均匀混合，将混合后的粉末送入等离子体喷涂设备；步骤(2)，对被喷涂的基材表面进行预处理；步骤(3)，通过所述等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出碳化硼涂层。本发明专利技术使用碳掺杂B4C粉等离子喷涂方法制备涂层，当射流喷出后，石墨粉不仅能优先和氧气发生反应，避免B4C的氧化，而且碳的加入，抑制了B4C的高温分解，可降低甚至防止B4C在高温下的C流失，获得性能良好的B4C涂层，同时，碳掺杂不会在涂层中引入杂质元素，保证了涂层质量，且石墨粉的加入可增加粉的流动性，更有利于喷涂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子喷涂
，具体涉及。
技术介绍
等离子体刻蚀是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种不可缺的技术。，它利用辉光放电产生包含等离子、电子等带电粒子及具有高度化学活性的中性原子、分子和自由基的等离子来进行图案转印，是实现超大规模集成电路生产中的微细图形高保真地从光刻模板转移到硅片上的不可替代的工艺。在超大规模集成电路制造工艺中，有近三分之一的工序是借助于等离子体加工完成的，如等离子体薄膜沉积、等离子体刻蚀及等离子体去胶等。在等离子体干法刻蚀过程中，会生成大量的Cl基、F基等活性自由基。它们对半导体器件进行刻蚀时，也会对铝基的等离子刻蚀工艺腔的内表面产生腐蚀作用，这种腐蚀会产生大量的颗粒导致需要频繁的维护生产设备，严重时甚至会导致刻蚀工艺腔的失效。早期的等离子刻蚀腔防护技术有阳极氧化铝，但阳极氧化铝涂层的抗腐蚀能力有限。随着热喷涂技术的发展，在铝基板上喷涂纯Al2O3陶瓷涂层有效的解决了在较小功率等离子体下刻蚀工艺腔的腐蚀问题，但随着晶圆尺寸的增加，等离子刻蚀工艺腔内径已经由400mm增加到500 600mm,相应的等离子体功率也越来越大,等离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤(1)，将碳化硼粉和碳粉均匀混合，将混合后的粉末送入等离子体喷涂设备；步骤(2)，对被喷涂的基材表面进行预处理；步骤(3)，通过所述等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出碳化硼涂层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王文东，黄春，闫坤坤，夏洋，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：