TO220封装引线框架制造技术

本实用新型专利技术涉及一种TO220封装引线框架，包括多个独立单元，每个独立单元包括侧管脚，所述侧管脚设有压焊区和引脚，所述压焊区沿垂直于所述引脚方向的长度为3.495~3.505毫米，所述压焊区沿平行于所述引脚方向的长度为1.495~1.505毫米。上述TO220封装引线框架，压焊区沿垂直或平行于所述引脚方向的长度均得到了增加，因此压焊区的面积增大了，能够满足焊接多根较粗铝线条需求。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种T0220封装引线框架。
技术介绍
在采用T0220封装引线框架封装半导体器件的过程中，需要使用导线将封装在半导体器件内部的芯片与T0220封装引线框架的管脚电性连接，目前通常在T0220封装引线框架的管脚的一端设置压焊区，然后把导线的两端分别焊接在芯片与压焊区，使芯片与T0220封装引线框架的管脚电性连接。目前在T0220封装引线框架的管脚上设置的压焊区，其可焊接面积较小，当需要在压焊区焊接多根较粗的铝线条的时候，目前的压焊区无法容置这些多根较粗的铝线条，但是在封装具有较大功率的芯片时，必须使用多根较粗的铝线条才能承载较大电流，因此，目前T0220封装引线框架的管脚上设置的压焊区不能满足封装较大功率的芯片的要求。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能够满足焊接多根较粗铝线条需求的T0220封装引线框架。一种T0220封装引线框架，包括多个独立单元，每个独立单元包括侧管脚，所述侧管脚设有压焊区和引脚，所述压焊区沿垂直于所述引脚方向的长度为3.495^3.505毫米，所述压焊区沿平行于所述引脚方向的长度为1.495^1.505毫米。在其中一个实施例中， 所述压焊区焊接有两根直径为500微米或3根直径为380微米的铝丝。在其中一个实施例中，所述压焊区所在的平面与所述引脚的夹角为120°。在其中一个实施例中，所述压焊区为矩形结构，其垂直于所述引脚的两条边的长度为3.5毫米，其平行于所述引脚的两条边的长度为1.5毫米。在其中一个实施例中，所述T0220封装引线框架还包括芯片放置区，用于放置待封装的芯片。在其中一个实施例中，所述T0220封装引线框架还包括散热部，所述散热部连接于所述芯片放置区。在其中一个实施例中，所述T0220封装引线框架还包括第一连接筋、第二连接筋和第三连接筋，相邻两个所述独立单元的散热部通过所述第一连接筋连接，所述T0220封装引线框架的各个引脚的中部通过所述第二连接筋连接，所述T0220封装引线框架的各个弓I脚的底部通过所述第三连接筋连接。上述T0220封装引线框架，压焊区沿垂直或平行于所述引脚方向的长度均得到了增加，因此压焊区的面积增大了，能够满足焊接多根较粗铝线条需求。附图说明图1为本实施方式的T0220封装引线框架的正视图；图2为本实施方式的T0220封装引线框架的侧视图。具体实施方式为了解决目前T0220封装引线框架的管脚的压焊区无法容置多根较粗的铝线条的问题，本实施方式提供了一种T0220封装引线框架。下面结合具体的实施例，对T0220封装引线框架进行具体的描述。请参考图1，本实施方式提供的T0220封装引线框架，包括多个独立单元100，每个独立单元100包括两个侧管脚110、芯片放置区120、散热部130、第一连接筋140、第二连接筋150、第三连接筋160以及中管脚170。侧管脚110设有压焊区112和引脚114。在实际生产中，压焊区112需要能够焊接2根直径为500微米或3根直径为380微米的铝丝。由于铝丝本身占用一定空间以及铝丝之间不能相互接触，压焊区112沿垂直于引脚114方向的长度设置为3.495^3.505毫米，压焊区112沿平行于引脚114方向的长度设置为1.495^1.505毫米。在本实施方式中，压焊区112设计为矩形结构，且压焊区112垂直于引脚114的两条边的长度为3.5毫米，压焊区112平行于引脚114的两条边的长度为1.5毫米。芯片放置区120用于放置待封装的芯片。散热部130连接于所述芯片放置区120，用于安装散热片。第一连接筋140用于连接相邻两个所述独立单元100的散热部130。第二连接筋150用于连接T0220封装弓I线框架的各个弓丨脚114的中部。第三连接筋160用于连接T0220封装引线框架的各个引脚的底部。通过第一连接筋140、第二连接筋150以及第三连接筋160把多个独立单元100连接起来并构成T0220封装引线框架。请参考图2，T0220封装引线框架还包括连接件180。中管脚170通过连接件180与芯片放置区120相连。连接件180所在的平面与引脚114以及芯片放置区120的夹角均为 120。上述T0220封装引线框架，其压焊区112设计为3.5毫米*1.5毫米的矩形结构，扩大了两条边的尺寸，因此增大了压焊区112的面积，能够满足焊接多根较粗铝线条需求，解决了承载较大电流的问题，从而能够满足封装较大功率的芯片的要求。以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。权利要求1.一种T0220封装引线框架，包括多个独立单元，每个独立单元包括侧管脚，所述侧管脚设有压焊区和引脚，其特征在于，所述压焊区沿垂直于所述引脚方向的长度为3.495^3.505毫米，所述压焊区沿平行于所述引脚方向的长度为1.495^1.505毫米。2.根据权利要求1所述的T0220封装引线框架，其特征在于，所述压焊区焊接有两根直径为500微米或3根直径为380微米的铝丝。3.根据权利要求1或2所述的T0220封装引线框架，其特征在于，所述压焊区为矩形结构，其垂直于所述引脚的两条边的长度为3.5毫米，其平行于所述引脚的两条边的长度为1.5晕米。4.根据权利要求1所述 的T0220封装弓I线框架，其特征在于，所述T0220封装弓I线框架还包括芯片放置区，用于放置待封装的芯片。5.根据权利要求4所述的T0220封装弓I线框架，其特征在于，所述T0220封装弓I线框架还包括中管脚和连接件，所述中管脚通过所述连接件与所述芯片放置区相连，所述连接件所在的平面与所述引脚以及芯片放置区的夹角均为120°。6.根据权利要求5所述的T0220封装弓I线框架，其特征在于，所述T0220封装弓I线框架还包括散热部，所述散热部连接于所述芯片放置区。7.根据权利要求6所述的T0220封装弓I线框架，其特征在于，所述T0220封装弓I线框架还包括第一连接筋、第二连接筋和第三连接筋，相邻两个所述独立单元的散热部通过所述第一连接筋连接，所述T0220封装引线框架的各个引脚的中部通过所述第二连接筋连接，所述T0220封装引线框架的各个引脚的底部通过所述第三连接筋连接。专利摘要本技术涉及一种TO220封装引线框架，包括多个独立单元，每个独立单元包括侧管脚，所述侧管脚设有压焊区和引脚，所述压焊区沿垂直于所述引脚方向的长度为3.495~3.505毫米，所述压焊区沿平行于所述引脚方向的长度为1.495~1.505毫米。上述TO220封装引线框架，压焊区沿垂直或平行于所述引脚方向的长度均得到了增加，因此压焊区的面积增大了，能够满足焊接多根较粗铝线条需求。文档编号H01L23/495GK203038916SQ20122068839公开日2013年7月3日 申请日期2012年12月13日 优先权日2012年12月13日专利技术者吕劲锋 申请人:深圳深爱半导体股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TO220封装引线框架，包括多个独立单元，每个独立单元包括侧管脚，所述侧管脚设有压焊区和引脚，其特征在于，所述压焊区沿垂直于所述引脚方向的长度为3.495~3.505毫米，所述压焊区沿平行于所述引脚方向的长度为1.495~1.505毫米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕劲锋，
申请(专利权)人：深圳深爱半导体股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：