芯片侦测单元制造技术

本实用新型专利技术公开了一种芯片侦测单元。所述芯片侦测单元是将侦测剥离和破碎的功能结合在一起，具体包括围绕芯片的多个第一金属列及围绕所述第一金属列的多个第二金属列，所述第一金属列包括多层第一金属线，所述第二金属列包括多层第二金属线以及连接相邻的第二金属线的通孔连线，这种结构通过金属列的电性变动可以精确的侦测到是否产生剥离和/或破碎现象，避免了由于位置关系导致的侦测效果不佳，具有很好的侦测效率，从而能够有效的提高对产品质量的监控。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种芯片侦测单元。
技术介绍
在90nm及以下节点的工艺中，随着金属铜和低K材料被引入，芯片的切割和封装(die saw and package)过程中对铜和低K介质层的影响越来越严重。由于铜和含碳的氮化硅(NDC)之间的粘附性较差，那么在切割和封装时，产生的机械应力就容易使得铜和NDC之间分离开，即产生剥离(peeling)现象，同样的，碳掺杂的氧化娃(black diamond,BD)也会由于机械应力而受到破坏，比如发生断裂、碎裂现象,也就是破碎(crack)，在这种情况下，芯片将受到不同程度的损害，从而浪费前段工艺所需要的大量时间和物质、人力成本。基于这个问题，改进相关工艺、引入新的材料，都是可行的方法。但是在这些解决方法还未形成前，就必须有一种结构能够有效的侦测到切割和封装的芯片是否存在上述问题，即解决芯片封装引起的失效机理(chip package interaction, CPI)的结构。请参考图1所示的结构，在现有技术中，芯片侦测单元(CPI test structured包括分开的两种侦测模块(sensor)，第一种侦测模块21是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片侦测单元，其特征在于，包括围绕芯片的多个第一金属列以及围绕所述多个第一金属列的多个第二金属列，所述第一金属列包括多层第一金属线，所述第二金属列包括多层第二金属线以及连接相邻的第二金属线的通孔连线，所述第一金属线和第二金属线的长度大于所述芯片的边长。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李伯海，孙艳辉，张冠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：