一种半导体结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体结构，包括SOI衬底、栅极结构、金属侧墙、介质层和接触塞，其中：所述SOI衬底包括SOI层和BOX层；所述栅极结构形成在所述SOI层之上；所述金属侧墙形成在所述栅极结构两侧的所述SOI衬底内，该金属侧墙与所述栅极结构下方的所述SOI层相接触，并延伸至所述BOX层内；所述介质层覆盖所述SOI衬底和所述金属侧墙，所述接触塞贯穿所述介质层并延伸至所述BOX层内，该接触塞与所述金属侧墙相接触；其中，所述栅极结构的上平面与所述接触塞的上平面齐平。本实用新型专利技术提供的半导体结构能提升半导体器件的性能和减小加工难度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及半导体的制造领域，尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
随着半导体结构制造技术的发展，具有更高性能和更强功能的集成电路要求更大的元件密度，而且各个部件、元件之间或各个元件自身的尺寸、大小和空间也需要进一步缩小(目前已经可以达到纳米级)，随着半导体器件尺寸的缩小，各种微观效应凸显出来，为适应器件发展的需要，本领域技术人员一直在积极探索新的制造工艺。绝缘体上娃(Silicon-On-1nsulator, SOI)具有较好的介质隔离特性,采用SOI制成的集成电路具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单和短沟道效应小等优势，通常SOI衬底包括三层主要结构，分别是体硅层、体硅层之上的氧化埋层(Buried Oxide层，BOX层)和覆盖在所述BOX层之上的SOI层，所述SOI层的材料通常是单晶硅。现有技术工艺中，使用上述SOI衬底生产半导体器件会采用下陷源/漏区的工艺，如图1所示半导体结构。形成图1示出的结构的具体方法是:首先对SOI衬底进行刻蚀，具体而言是刻蚀栅极结构15与SOI衬底的隔离区之间的SOI层10和BOX层11，以形成延伸至BOX层11内的沟槽，然后在该沟槽中填充半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，朱慧珑，骆志炯，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：
国别省市：