【技术实现步骤摘要】
:本专利涉及一种为了满足大功率高亮度氮化镓外延晶片HB-LED的生产需求的超纯氨的深度除水系统。
技术介绍
:超高纯氨是蓝光LED外延片生产的三大核心材料之一，占外延片生产成本的20%左右。超高纯氨的纯度对LED晶片的发光强度和优品率影响很大，特别是超高纯氨中杂质水的含量对大功率高亮度氮化镓外延片的生产十分关键。目前国内虽然能自己生产超纯氨，但是大多数的LED厂还不能接受国产超纯氨。制取超高纯氨的主流技术仍然是以纯度99.9%的工业液氨为原料通过催化吸附、精馏和精密过滤来除去氨中杂质H2、N2、02、C0、C02、CH4等轻组分，水和高沸物等重组分以及各种金属颗粒等来获取纯度为7N的光电子级超高纯氨。传统的精馏塔内用三层填料，在第一层和第二层填料之间进料，再通过上层填料除去轻组分，从塔顶排出。通过第二层和第三层填料除去水分等重组分，在塔底排放。并在第二层和第三层之间侧线出料，获得产品高纯氨。由于采用单塔精馏时不能兼顾除轻组分和除重组分、控制合适的回流比、达到所需的汽液流速和接触时间，获得最佳分离效果。我们通过模拟计算和实验比较，提出了一种可使氨中杂质水份深度除去...
【技术保护点】
二级精馏超纯氨深度除水系统，其特征在于它包含精馏塔I〔2〕、冷凝器I〔3〕、再沸器I〔4〕、精馏塔II〔7〕、冷凝器II〔8〕、再沸器II〔9〕；精馏塔I〔2〕分别与冷凝器I〔3〕、再沸器I〔4〕连接，精馏塔II〔7〕分别与冷凝器I〔3〕、冷凝器II〔8〕和再沸器II〔9〕连接。
【技术特征摘要】
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