光致生酸剂和包含所述光致生酸剂的光致抗蚀剂制造技术

一种光致生酸剂，包括式(I)所示的化合物：其中，式(I)中各Ra独立地是H、F、C1-10非氟化有机基团、C1-10氟化有机基团，或包括至少一种上述基团的组合，前提是至少一个Ra是F或C1-10氟化有机基团，所述C1-10氟化和非氟化有机基团各自任选地包含O,S,N或包括至少一种上述杂原子的组合；L1是连接基团，所述连接基团包含包括O,S,N,F的杂原子或者包括至少一种上述杂原子的组合；G+是式(II)的鎓盐：其中在式(II)中，X是S或I，各R0独立地是C1-30烷基，多环或单环C3-30环烷基，多环或单环C4-30芳基，或包括至少一种上述基团的组合，前提是各R0是C6单环芳基时至少一个R0是被取代的，其中当X是I时，a是2，X是S时,a是3，p是0或1，q是1-10的整数。

【技术实现步骤摘要】
光致生酸剂和包含所述光致生酸剂的光致抗蚀剂
技术介绍
基于短波辐射(例如在193nm处运行ArF准分子激光器产生)或其它类似的短波源的改进的光刻技术能用于通过增加集成电路的器件密度得到更快且更高效的半导体器件。可用于这种短波应用的光致抗蚀剂材料包括化学扩增型辐射敏感树脂组合物，它依赖于包含酸不稳定官能团的树脂组分和通过辐照产生酸的光致生酸剂(PAG)的有效相互作用。用于ArF准分子激光器光刻技术的光致抗蚀剂材料的必需性质包括在193nm处的透明度(即低光学密度)，以及高抗蚀性，具有高碳密度和多环结构。可用的光致抗蚀剂平台树脂包括基于聚(甲基)丙烯酸酯-基骨架和由大的叔烷基保护的羧酸部分的树脂，它在193nm处是高度透明的。对羧酸脱保护(本文中也称为“解封闭”)的效率与对比度和分辨率直接相关。 PAG阴离子不断地被设计得体积更大，从而抑制PEB过程中的酸扩散，以得到较高分辨率。但是，由于大体积疏水PAG在显影剂和清洗水中的溶解度差，这种趋势通常导致较高的缺陷度。同时实现低扩散率和良好的缺陷度水平的一种方式是通过连接大的亲水部分来同时增加PAG阴离子的尺寸和极性特性。通过这样做，PAG阴离子的尺寸能增大到足够大，从而抑制PEB时的酸扩散，并且高极性光致酸能容易地溶解在碱性显影剂(如氢氧化四甲基铵，TMAH)中，进而得到较低的缺陷水平(即较低的缺陷度)。
技术实现思路
现有技术的上述或其它问题可以通过式(I)的光致生酸剂来克服:权利要求1.一种式(I)的光致生酸剂:2.如权利要求1所述的光致生酸剂，其中L1是C1,连接基团，所述连接基团包括醚、酯、胺、酰胺、酮、缩醛、缩酮、硫化物、二硫化物、硫代羰基、磺酸酯、磺酰胺，或包括至少一种上述基团的组合。3.如权利要求1所述的光致生酸剂，其中L1是直链或支链的，氟化或非氟化的，包括C1,亚烷基、C1,亚烷氧基、C1,酯、C1,酰胺、C1,磺酸酯、C1,磺酰胺，或者包括至少一个上述基团的组合。4.如权利要求1所述的光致生酸剂，所述光致生酸剂具有式(III):5.如权利要求1所述的光致生酸剂，所述光致生酸剂具有式(IV):6.如权利要求1所述的光致生酸剂，所述光致生酸剂具有式(V):7.如权利要求1所述的光致生酸剂，所述光致生酸剂具有下式:8.如权利要求1-7中任一项所述的光致生酸剂，其中G+是式X-XV的锍盐:9.如权利要求1-7中任一项所述的光致生酸剂，其中G+具有下式:10.一种光致抗蚀剂，其包含权利要求1-9中任一项所述的光致生酸剂和酸可脱保护共聚物。11.一种涂覆的膜，其包括:(a)基材，其包括位于其表面上的将被图案化的一个层或多个层；和(b)权利要求10所述的光致抗蚀剂层，其位于所述将被图案化的一个层或多个层上。全文摘要一种光致生酸剂，包括式(I)所示的化合物其中，式(I)中各Ra独立地是H、F、C1-10非氟化有机基团、C1-10氟化有机基团，或包括至少一种上述基团的组合，前提是至少一个Ra是F或C1-10氟化有机基团，所述C1-10氟化和非氟化有机基团各自任选地包含O,S,N或包括至少一种上述杂原子的组合；L1是连接基团，所述连接基团包含包括O,S,N,F的杂原子或者包括至少一种上述杂原子的组合；G+是式(II)的鎓盐其中在式(II)中，X是S或I，各R0独立地是C1-30烷基，多环或单环C3-30环烷基，多环或单环C4-30芳基，或包括至少一种上述基团的组合，前提是各R0是C6单环芳基时至少一个R0是被取代的，其中当X是I时，a是2，X是S时,a是3，p是0或1，q是1-10的整数。文档编号C07C381/12GK103186046SQ20121058617公开日2013年7月3日 申请日期2012年12月28日 优先权日2011年12月31日专利技术者E·阿恰达, C-B·徐, 李明琦, W·威廉姆斯 申请人:罗门哈斯电子材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种式(I)的光致生酸剂：其中式(I)中各Ra独立地是H、F、C1?10非氟化有机基团、C1?10氟化有机基团，或包括至少一种上述基团的组合，前提是至少一个Ra是F或C1?10氟化有机基团，所述C1?10氟化和非氟化有机基团各自任选地包含O,S,N或包括至少一种上述杂原子的组合；L1是连接基团，所述连接基团包含杂原子，所述杂原子包括O,S,N,F的，或者所述连接基团包括至少一种上述杂原子的组合；G+是式(II)的鎓盐：其中，在式(II)中，X是S或I，各R0独立地是C1?30烷基，多环或单环C3?30环烷基，多环或单环C4?30芳基，或包括至少一种上述基团的组合，前提是当各个R0是C6单环芳基时至少一个R0是被取代的，当X是I时，x是2，当X是S时，x是3，以及p是0或1，q是1?10的整数。FDA00002680295000011.jpg,FDA00002680295000012.jpg

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：E·阿恰达，CB·徐，李明琦，W·威廉姆斯，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：