本发明专利技术公开了一种电路板的制造方法。所述方法包括如下各步骤：使用电容器件材料形成电容器件和短路部，所述电容器件材料包括依次位于金属箔上的电介质膜和导电膜，所述电容器件包括把所述电介质膜夹在中间的第一电极层和第二电极层，并且所述短路部将所述第一电极层与所述第二电极层短路；在所述电容器件和所述短路部上方形成上层配线；以及在形成所述上层配线之后移除或切断所述短路部。根据本发明专利技术，提供了能够抑制电介质膜的静电破坏的电路板制造方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，并且具体涉及包含电容器件的。
技术介绍
在诸如印刷电路板等电路板(安装基板)中形成有电容器件(参见例如日本未审专利申请特开第2007-12667号公报)。为了在使电容器件小型化的同时获得高电容值，减小电介质膜的厚度并且采用具有高介电常数的电介质材料是有效的。作为在安装基板中形成这样的薄电介质膜的方法，可以使用诸如溶胶-凝胶法(sol-gel process)、气溶胶法(aerosol method)和派射法等成膜技术,并且这些技术的适应性的研发已经被推进。另外，为了减小电容器件的电介质膜的厚度，必须具有低漏电流和高耐压性。为此，期望诸如由于电介质膜的成膜材料而导致的杂质等材料不要残留在该膜中。这些杂质降低了介电常数，并且从该观点出发，也期望这些杂质不要残留在该膜中。为了抑制杂质的残留，优选在更高温度下形成该材料的膜。作为具有高介电常数的电介质材料，已知的有诸如钛酸锶(SrTiO3 ;ST0)、钛酸钡(BaTiO3 ;BTO )、钛酸锶钡(BST)和锆钛酸铅(PZT )等结晶性电介质材料。这样的结晶性电介质材料的介电常数依赖于其结晶度(crystalIinity),因此,期望在更高的温度下形成这些结晶性电介质材料的膜，从而获得高的介电常数。此外，在用来形成上述安装基板的材料中，具有大约200° C的耐热温度上限的那些材料已被广泛使用。在由这些材料制成的安装基板上，在高温下难以形成电介质膜。近年来，在高温下实现电介质膜的成膜过程的制造方法已经引起了人们的关注。在该方法中，不是在安装基板上进行成膜过程，而是将薄膜电容器件材料(在该薄膜电容器件材料中，在金属箔上形成有电介质膜，并且在该电介质膜上进一步形成有导电膜)贴合于安装基板的内侧。
技术实现思路
在金属箔上形成有电介质膜并且在电介质膜上进一步形成有导电膜的薄膜电容器件材料具有如下的结构:该结构中，处于电介质膜下方的金属箔与处于电介质膜上方的导电膜在外周部分中短路。这是为了防止由于在诸如处理(handling)等工序中产生的静电而导致的破坏(静电破坏)。然而，当诸如金属箔和导电膜等膜被切断或加工以形成电极的时候，就会失去上述防止静电破坏的对策的效果。另外，由于要被组装至安装基板中的电容器件的电介质膜较薄，所以就会担忧在形成该电容器件的工序中的静电破坏。因此，期望提供能够抑制电介质膜的静电破坏的电路板制造方法。根据本专利技术的实施例，提供了一种，所述方法包括如下各步骤:使用电容器件材料形成电容器件和短路部，所述电容器件材料包括依次位于金属箔上的电介质膜和导电膜，所述电容器件包括中间夹有所述电介质膜的第一电极层和第二电极层，并且所述短路部将所述第一电极层与所述第二电极层短路；在所述电容器件和所述短路部上方形成上层配线；并且在形成所述上层配线之后移除或切断所述短路部。根据本专利技术实施例中的，使用所述电容器件材料形成了所述电容器件和所述短路部，所述电容器件材料具有依次位于所述金属箔上的所述电介质膜和所述导电膜。所述电容器件具有把所述电介质膜夹在中间的所述第一电极层和所述第二电极层，并且所述短路部将所述第一电极层与所述第二电极层短路。然后，在所述电容器件和所述短路部上方形成所述上层配线之后，移除或切断所述短路部。因此，即使在通过切断或加工所述金属箔和所述导电膜而形成了所述第一电极层和所述第二电极层之后，也通过所述短路部抑制了所述电介质膜的静电破坏。应当理解的是，前述的一般性说明和接下来的详细说明都是示例性的，并且均旨在为本专利技术要求保护的技术提供进一步的解释。附图说明这里提供了附图以便进一步理解本专利技术，这些附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附示了实施例，并且与本说明书一起用来解释本专利技术的原理。图1的(A)部分和(B)部分分别是本专利技术第一实施例的电路板中的电容器件的构造的横截面图和平面图。图2A至图2C是按照工序顺序图示了图1的(A)部分和(B)部分中所描绘的的横截面图。图3是图示了图2C中所描绘的第二电极层的构造的平面图。图4A和图4B是图示了跟在图2C之后的工序的横截面图。图5A至图5C是图示了跟在图4B之后的工序的横截面图。图6A和图6B是图示了跟在图5C之后的工序的横截面图。图7是图示了图6B中所描绘的第一电极层和短路部的构造的平面图。图8A至图8C是图示了跟在图6B之后的工序的横截面图。图9A至图9C是图示了跟在图8C之后的工序的横截面图。图1OA至图1OC是按照工序顺序图示了本专利技术第二实施例的的横截面图。图11是图示了图1OC中所描绘的第二电极层的构造的平面图。图12A和图12B是图示了跟在图1OC之后的工序的横截面图。图13A至图13C是图示了跟在图12B之后的工序的横截面图。图14是图示了图13B中所描绘的第一电极层和短路部的构造的平面图。图15A至图15C是图示了跟在图13C之后的工序的横截面图。图16A至图16C是图示了跟在图15C之后的工序的横截面图。图17A至图17E是按照工序顺序图示了本专利技术第三实施例的的横截面图。图18是图示了图17E中所描绘的第二电极层的构造的平面图。图19A至图19D是图示了跟在图17E之后的工序的横截面图。图20是图示了图19D中所描述的第一电极层和短路部的构造的平面图。图21A至图21C是图示了跟在图19D之后的工序的横截面图。图22A至图22C是图示了跟在图21C之后的工序的横截面图。图23的(A)部分和(B)部分分别是本专利技术第四实施例的电路板中的电容器件的构造的横截面图和平面图。图24A至图24E是按照工序顺序图示了图23的(A)部分和(B)部分中所描绘的的横截面图。图25是图示了图24E中所示描绘的具有短路部的第二电极层的构造的平面图。图26A至图26D是图示了跟在图24E之后的工序的横截面图。图27是图示了图26D中所描绘的具有短路部的第一电极层的构造的平面图。图28A至图28C是图示了跟在图26D之后的工序的横截面图。图29A和图29B是图示了跟在图28C之后的工序的横截面图。图30A和图30B是图示了跟在图29B之后的工序的横截面图。图31A和图31B是图示了本专利技术第五实施例的电路板中的电容器件的构造的横截面图。图32A和图32B是图31A和图31B中所描绘的电容器件的构造的平面图。图33A至图33E是按照工序顺序图示了图31A和图31B中所描绘的的横截面图。图34是图示了图33E中所描绘的第一电容器件的第二电极层和第二电容器件的第一电极层的构造的平面图。图35A和图35B是图示了跟在图33E之后的工序的横截面图。图36A和图36B是图示了跟在图35B之后的工序的横截面图。图37A和图37B是图示了跟在图36A和图36B之后的工序的横截面图。图38是图示了图37B中所描绘的第一电容器件的第一电极层、第二电容器件的第二电极层以及短路部的构造的平面图。图39A和图39B是图示了跟在图37A和图37B之后的工序的横截面图。图40A和图40B是图示了跟在图39A和图39B之后的工序的横截面图。图41A和图41B是图示了跟在图40A和图40B之后的工序的横截面图。图42A和图42B是图示了跟在图41A和图41B之后的工序的横截面图。图43A和图43B是图示了跟在图42A和图42B之后的工序本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电路板的制造方法，所述方法包括以下各步骤：使用电容器件材料形成电容器件和短路部，所述电容器件材料包括依次位于金属箔上的电介质膜和导电膜，所述电容器件包括把所述电介质膜夹在中间的第一电极层和第二电极层，并且所述短路部将所述第一电极层与所述第二电极层短路；在所述电容器件和所述短路部上方形成上层配线；以及在形成所述上层配线之后移除或切断所述短路部。
【技术特征摘要】
2011.12.12 JP 2011-2711941.一种电路板的制造方法，所述方法包括以下各步骤: 使用电容器件材料形成电容器件和短路部，所述电容器件材料包括依次位于金属箔上的电介质膜和导电膜，所述电容器件包括把所述电介质膜夹在中间的第一电极层和第二电极层，并且所述短路部将所述第一电极层与所述第二电极层短路； 在所述电容器件和所述短路部上方形成上层配线；以及 在形成所述上层配线之后移除或切断所述短路部。2.根据权利要求1所述的电路板的制造方法，其中，形成所述电容器件和所述短路部的步骤包括以下各步骤: 通过加工所述导电膜形成所述第二电极层； 在所述电介质膜中设置开口部，并且在所述开口部中设置短路电极；以及 通过加工所述金属箔形成所述第一电极层，并且利用所述短路电极形成所述短路部。3.根据权利要求1所述的电路板的制造方法，其中，形成所述电容器件和所述短路部的步骤包括以下各步骤: 通过加工所述导电膜形成所述第二电极层； 通过激光照射在所述电介质膜中形成损伤部；以及 通过加工所述金属箔形成所述第一电极层，并且利用所述损伤部形成所述短路部。4.根据权利要求1所述的电路板的制造方法，其中，形成所述电容器件和所述短路部的步骤包括以下各步骤: 在使用包括位于所述金属箔上的所述电介质膜在内的基材在所述电介质膜中设置开口部之后，在所述电介质膜上形成所述导电膜，且由此形成了包括所述开口部中的接触部的所述电容器件材料，所述接触部建立了所述金属箔与所述导电膜之间的接触； 通过加工所述导电膜形成所述第二电极层；以及 ...
【专利技术属性】
技术研发人员：六波罗真仁，足立研，冈修一，松本一治，柳川周作，堀内悟志，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：
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