半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术得到一种能够减少解理从期望的解理线的偏离的半导体装置的制造方法。在半导体衬底（1）的表面，在期望的解理线（5）上形成起点裂纹（6），沿着期望的解理线（5）断续地形成多个预备裂纹（7a、7b）。沿着期望的解理线（5）从起点裂纹（6）起通过多个预备裂纹（7a、7b）对半导体衬底（1）进行解理。各个预备裂纹（7a、7b）具有随着在解理的进行方向上行进而从期望的解理线（5）的外侧向期望的解理线（5）汇合的裂纹。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对激光二极管的化合物半导体衬底等进行解理的方法，特别涉及能够减少解理从期望的解理线的偏离的。
技术介绍
通过将单晶切片来形成半导体衬底，单晶具有容易分离的解理面。因此，在解理衬底的情况下，首先，沿着解理面在衬底的一端或者两端用金刚石笔工具(diamond-pointtool)等形成划片(刻画)线。在该划片线的正下方形成微裂纹(微小的裂纹)。接着，通过向衬底施加应力，从而使微裂纹沿着解理面开口。由此，一边能够形成具有原子级的平滑性的解理面，一边能够分离衬底(例如，参照专利文献I)。现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开平11 - 274653号公报(2页 3页、图3 8)。专利技术要解决的问题 形成在衬底上的激光二极管等半导体元件是对由与衬底不同的材料构成的异种材料层进行层叠 构图而形成的。该异种材料层存在具有与衬底不同的解理面的情况。在该情况下，有时在异种材料层中沿与衬底不同的方向进行解理。此外，半导体元件的 图案沿着衬底的解理面而形成。可是，因为必然具有误差，所以存在以下情况:图案的方向和衬底的解理面的方向稍微偏离，伴随着解理的进行，偏离累积，被分离成不能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在半导体衬底的表面，在期望的解理线上形成起点裂纹，沿着所述期望的解理线断续地形成多个预备裂纹的工序；以及沿着所述期望的解理线从所述起点裂纹起通过所述多个预备裂纹对所述半导体衬底进行解理的工序，各个预备裂纹具有随着在解理的进行方向上行进而从所述期望的解理线的外侧向所述期望的解理线汇合的裂纹。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大野克巳，根岸将人，铃木正人，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：