一种GaN基发光二极管芯片晶胞的制备方法技术

本发明专利技术提供一种GaN基发光二极管芯片晶胞的制备方法，在凸PSS上制作LED发光外延层，然后利用光刻胶及SiO2层作为掩膜，通过控制ICP的各项参数对发光外延层进行深刻蚀，以形成完全分离的LED晶胞。由此方法制得的LED芯片的晶胞可以达到完全分离，而且，能够依照不同输入电压的需求而决定其晶胞的数量与尺寸，可以针对每颗晶胞加以优化，因此能够得到较佳的电流分布，进而提高发光效率。本方法工艺简单，适合用于工业生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管的制备方法，特别是涉及。
技术介绍
半导体照明作为新型高效固体光源，具有寿命长、节能、环保、安全等显著优点，将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，其应用领域正在迅速扩大，正带动传统照明、显示等行业的升级换代，其经济效益和社会效益巨大。正因如此，半导体照明被普遍看作是21世纪最具发展前景的新兴产业之一，也是未来几年光电子领域最重要的制闻点之一 O对于高功率LED的设计，目前各大厂多以大尺寸单颗低压为主，做法有两种:一种为传统水平结构，另一种则为垂直导电结构。对于传统水平结构，其制程和一般小尺寸芯片几乎相同，两者的剖面结构一样，但有别于小尺寸芯片，大尺寸高功率LED常常需要在大电流之下驱动，若P、N电极的设计不平衡，都会导致严重的电流拥堵(Current Crowding),其结果是LED达不到设计所需的亮度，且也会损害芯片的可靠度(reliability)。对于垂直导电结构，由于目前商品化的蓝光LED几乎都是成长于蓝宝石基板上，要改为垂直导电结构，必须先和导电、散热良好基板做键合，再采用激光剥离的方法，将不导电的蓝宝石基本剥离移除，之后完成芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaN基发光二极管芯片晶胞的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供一表面具有多个凸起结构的蓝宝石衬底，且相邻的两个凸起结构之间具有间隔，在所述蓝宝石衬底表面形成由GaN材料组成的外延发光层；2)在所述外延发光层表面依次制作掩膜层及光刻胶，然后进行光刻，蚀刻去除部分光刻胶及掩膜层，以使所述光刻胶及掩膜层形成以特定间距排列的掩膜叠层；3)以所述掩膜叠层作为掩膜，进行第一次刻蚀，去除各该掩膜叠层之间的外延发光层；其中，所述第一次刻蚀后，所述蓝宝石衬底上各该凸起结构之间具有残余的GaN材料；4)以所述掩膜叠层作为掩膜，进行第二次刻蚀，去除所述蓝宝石衬底上各该凸起结构之间残余的GaN材料，...

【技术特征摘要】
1.一种GaN基发光二极管芯片晶胞的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤: 1)提供一表面具有多个凸起结构的蓝宝石衬底，且相邻的两个凸起结构之间具有间隔，在所述蓝宝石衬底表面形成由GaN材料组成的外延发光层； 2)在所述外延发光层表面依次制作掩膜层及光刻胶，然后进行光刻，蚀刻去除部分光刻胶及掩膜层，以使所述光刻胶及掩膜层形成以特定间距排列的掩膜叠层； 3)以所述掩膜叠层作为掩膜，进行第一次刻蚀，去除各该掩膜叠层之间的外延发光层；其中，所述第一次刻蚀后，所述蓝宝石衬底上各该凸起结构之间具有残余的GaN材料； 4)以所述掩膜叠层作为掩膜，进行第二次刻蚀，去除所述蓝宝石衬底上各该凸起结构之间残余的GaN材料，形成相互独立的多个发光二极管芯片晶胞； 5)进行第三次刻蚀，去除所述发光二极管芯片晶胞侧壁表面的缺陷。2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片晶胞的制备方法，其特征在于:所述外延发光层至少包括:u_GaN层、n—GaN层、MQff层以及P-GaN层。3.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片晶胞的制备方法，其特征在于:所述掩膜层为采用PECVD方法进行沉积的SiO2层，其厚度为5000 15000nm。4.根据权利要求3所述的GaN基发光二极管芯片晶胞的制备方法，其特征在于:采用BOE溶液对所述SiO2层进行刻蚀。5.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片晶胞的制备方法，其特征在于:所述步骤2)还包括对所述掩膜叠层进行清洗及甩干的步骤。6.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管芯片晶胞的制备方法，其特征在于:所述第一次刻蚀、第二次刻蚀及第三次刻蚀在ICP或RIE刻蚀设备中进行。7.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱广敏，郝茂盛，张楠，齐胜利，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：