一种提高LED芯片制造精度的方法技术

本发明专利技术提供一种提高LED芯片制造精度的方法，该方法在蓝宝石衬底上生长GaN外延层后，对LED晶片边缘伴随生长产生的外延层GaN突起进行斜角研磨以实现整体厚度一致的LED晶片，在接触式曝光工艺、蓝宝石背面减薄工艺及制造垂直结构GaN基LED芯片的晶片键合工艺中，使LED晶片中心和边缘均与光刻板、陶瓷衬底板、转移衬底硅片实现无缝接触。有效避免接触式曝光由于接触不良引起的曝光线条粗细一致性的问题，提高了曝光精度；有效避免蓝宝石背面减薄过程中LED晶片薄片中心与边缘厚度不一致，提高蓝宝石背面减薄精度和最终芯片厚度精度；提高制造垂直结构GaN基LED芯片的键合精度，以提高垂直结构GaN基LED芯片的制备良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED芯片制造领域，特别是涉及一种提高LED芯片制造精度的方法。技术背景发光二极管(LED，Light Emitting Diode)具有体积小、效率高和寿命长等优点， 在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用LED可实现半导体固态 照明，引起人类照明史的革命，从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。现行LED芯片 制造方法，在蓝宝石衬底上采用金属有机化学气相沉积(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)方法生长氮化鎵(GaN)外延层之后,再进行后序芯片制造。在GaN外延层生长过程中，因所述金属有机化学气相沉积方法产生气旋回流而沉 积出位于蓝宝石衬底边缘的外延层GaN突起，所述外延层GaN突起高度高出正常GaN外延 层表面。现行LED芯片制造中，对外延层GaN突起不作任何处理而直接进行后序芯片制造， 所述外延层GaN突起的存在直接影响后序芯片制造的精度。第一方面,请参阅图1a,显示为现有技术中边缘具有外延层GaN突起的LED晶片 与光刻板接触示意图。如图所示，现行LED芯片制造曝光工艺中，采用的是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一，提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上生长GaN外延层，伴随所述GaN外延层的生长所述蓝宝石衬底的边缘形成有外延层GaN突起；步骤二，在所述GaN外延层表面旋涂流体保护材料以形成保护层；步骤三，对所述保护层进行坚膜处理以形成LED晶片样品；步骤四，对所述LED晶片样品的边缘进行斜角研磨以去除所述外延层GaN突起，以制造出整体厚度一致的LED晶片。

【技术特征摘要】
1.一种提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤:步骤一，提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上生长GaN外延层，伴随所述GaN外延层的生长所述蓝宝石衬底的边缘形成有外延层GaN突起；步骤二，在所述GaN外延层表面旋涂流体保护材料以形成保护层；步骤三，对所述保护层进行坚膜处理以形成LED晶片样品；步骤四，对所述LED晶片样品的边缘进行斜角研磨以去除所述外延层GaN突起，以制造 出整体厚度一致的LED晶片。2.根据权利要求1所述的提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于:所述步骤二中 的流体保护材料为保护液或光刻胶。3.根据权利要求2所述的提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于:所述光刻胶的 粘度为12cp。4.根据权利要求1所述的提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于:所述步骤二中 旋涂所述流体保护材料时，不间断且顺序执行以下步骤:1)旋涂转速为700r/min时，旋涂时间为20s；2)旋涂转速为3500r/min时，旋涂时间为15s；3)...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪洋，郝茂盛，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：