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本发明提供一种提高LED芯片制造精度的方法，该方法在蓝宝石衬底上生长GaN外延层后，对LED晶片边缘伴随生长产生的外延层GaN突起进行斜角研磨以实现整体厚度一致的LED晶片，在接触式曝光工艺、蓝宝石背面减薄工艺及制造垂直结构GaN基LED芯...
该专利属于上海蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海蓝光科技有限公司授权不得商用。

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