一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法技术

一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法，涉及半导体光电器件。本发明专利技术方法包括步骤：①在蓝宝石衬底上外延生长GaN基外延层；②在p型GaN基半导体层上沉积多层介质膜，去除部分区域的多层介质膜，露出p型GaN半导体层表面；③在多层介质膜及暴露的p型GaN半导体层上表面沉积欧姆接触金属层；④在欧姆接触金属层上表面沉积电镀种子层；⑤在电镀种子层上表面形成金属衬底；⑥将蓝宝石衬底去除，并将器件倒置；⑦在n型GaN基半导体层上表面沉积p型电极；⑧在金属衬底下表面沉积n型电极。本发明专利技术采用多层介质膜进一步提高垂直结构发光二极管p型GaN欧姆接触层的反射率，从而有效提高GaN基垂直结构发光二极管的光提取效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电器件，特别是采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法。
技术介绍
发光二极管由于具有低能耗、长寿命、重量轻、体积小等优点，其应用领域越来越广阔，目前发光二极管在汽车内外灯光、显示器背光、室外景观照明，便携式系统闪光灯、投影仪光源、广告灯箱、电筒、交通灯等都有广泛应用。由于蓝宝石衬底价格低以及技术相对成熟，目前GaN基外延生长多数还是以蓝宝石衬底为生长衬底。然而由于蓝宝石不导电，所以GaN基发光二极管多数米用电极在同一侧的横向结构。对于这种横向结构有以下几个方面的缺点，首先由于P、η电极在发光二极管的同一侧，电流在n-GaN层中横向流动不等距，存在电流拥堵现象，导致局部发热量高，从而可靠性受到影响；其次，横向结构需要刻蚀台面，牺牲了有源区的面积；第三，由于蓝宝石衬底的导热性差(35W/(m*K))，还限制了 GaN基发光器件的散热。为了克服以上问题，GaN基垂直结构发光二极管成为近年来研究的热点。现有技术中，垂直结构发光二极管首先通过键合或电镀的方法将转移衬底(高热导率、高热导率衬底)与GaN基外延片粘合在一起，然后通过准分子激光剥离的方法去除原先的蓝宝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法，它包括步骤：①在蓝宝石衬底(100)上外延生长GaN基外延层(101)，GaN基外延层(101)从下至上依次包括n型GaN基半导体层、活性层和p型GaN半导体层；②在p型GaN基半导体层上沉积多层介质膜(102)，去除部分区域的多层介质膜(102)，露出p型GaN半导体层表面；③在多层介质膜(102)及暴露的p型GaN半导体层上表面沉积具有高反射率的欧姆接触金属层(103)；④在欧姆接触金属层(103)上表面沉积电镀种子层(104)；⑤在电镀种子层(104)上表面通过电镀的方式形成金属衬底(105)；⑥将蓝宝石衬底(100)去除，并将器件倒置...

【技术特征摘要】
1.一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法，它包括步骤: ①在蓝宝石衬底(100)上外延生长GaN基外延层(101)，GaN基外延层(101)从下至上依次包括η型GaN基半导体层、活性层和P型GaN半导体层； ②在P型GaN基半导体层上沉积多层介质膜(102)，去除部分区域的多层介质膜(102)，露出P型GaN半导体层表面； ③在多层介质膜(102)及暴露的P型GaN半导体层上表面沉积具有高反射率的欧姆接触金属层(103)； ④在欧姆接触金属层(103)上表面沉积电镀种子层(104)； ⑤在电镀种子层(104)上表面通过电镀的方式形成金属衬底(105)； ⑥将蓝宝石衬底(100)去除，并将器件倒置； ⑦在η型GaN基半导体层上表面沉积P型电极(107)； ⑧在金属衬底(105)下表面沉积η型电极(106)。2.根据权利要求1所述的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，所述外延生长GaN基外延层(101)是通过金属有机气相化学沉积MOCVD方法形成。3.根据权利要求1或2所述的垂直结构发光二极管制作...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭德博，
申请(专利权)人：同方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：