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一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法，涉及半导体光电器件。本发明方法包括步骤：①在蓝宝石衬底上外延生长GaN基外延层；②在p型GaN基半导体层上沉积多层介质膜，去除部分区域的多层介质膜，露出p型GaN半导体层表面；③在多层介质...
该专利属于同方光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过同方光电科技有限公司授权不得商用。

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