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本发明提供一种GaN基发光二极管芯片晶胞的制备方法，在凸PSS上制作LED发光外延层，然后利用光刻胶及SiO2层作为掩膜，通过控制ICP的各项参数对发光外延层进行深刻蚀，以形成完全分离的LED晶胞。由此方法制得的LED芯片的晶胞可以达到完全...
该专利属于上海蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海蓝光科技有限公司授权不得商用。

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