一种逆导型IGBT的背面版图布局制造技术

本实用新型专利技术公开了一种能够同时消除短路集电极型逆导IGBT产生的初次回跳和二次回跳的逆导型IGBT的背面版图布局，属于半导体器件技术领域。该背面版图布局，包括P+集电区、N+短路区和P+引导区，N+短路区和P+引导区向该逆导型IGBT的正面延伸后与栅极引线键合窗口无交集，其特征在于，P+集电区连续。该背面版图布局1）由于引入了P+引导区，所以能够消除短路集电极型逆导IGBT的初次回跳；2）由于P+集电区连续，使导通区域的扩展过程也是连续渐变的，所以能够避免由于突变性扩展引起的二次回跳。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件
，特别涉及一种能够同时消除短路集电极型逆导IGBT产生的初次回跳和二次回跳的逆导型IGBT的背面版图布局。
技术介绍
现有技术中，有一种短路集电极型逆导IGBT，附图1为短路集电极型逆导IGBT的局部结构示意图，从附图1可以看出，该IGBT是在P+集电区04加入N+短路区03，直接将N+缓冲层02通过N+短路区03连接到背面金属上，使P+区、P—基区、N—漂移区01、N+短路区03形成逆导通道。但是，这样形成的短路集电极型逆导IGBT在导通初期，电流密度很小，反偏电压Vce很小，但是，当反偏电压Vce大于一特定值Vp时，反偏电压Vce会陡降，电流密度则陡增，附图2短路集电极型逆导IGBT的“集电极-发射极电流一集电极-发射极电压”特性曲线，在附图2上出现一大段负阻区，即短路集电极型逆导IGBT存在回跳。产生回跳的原理如下:在该IGBT导通初期，电子流的流动示意图如图3A所示，电子从沟道注入N_漂移区01，几乎是垂直流向P+集电区04的，当电子流经N+缓冲层02后，电子流汇集到N+短路区03后流出器件，在P+集电区04上方，电子是横向流到N+短路区03的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种逆导型IGBT的背面版图布局，包括P+集电区、N+短路区和P+引导区，所述N+短路区和P+引导区向该逆导型IGBT的正面延伸后与栅极引线键合窗口无交集，其特征在于，所述P+集电区连续。

【技术特征摘要】
1.一种逆导型IGBT的背面版图布局，包括P+集电区、N+短路区和P+引导区，所述N+短路区和P+引导区向该逆导型IGBT的正面延伸后与栅极引线键合窗口无交集，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文亮，田晓丽，朱阳军，卢烁今，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，上海联星电子有限公司，江苏中科君芯科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：