一种适用于dummy-trench功率器件的版图制造技术

本实用新型专利技术涉及版图技术领域，公开了一种适用于dummy-trench功率器件的版图包括：dummy栅极结构刻蚀窗口、trench栅极结构刻蚀窗口、源极金属刻蚀窗口、dummy栅极金属刻蚀窗口、trench栅极金属刻蚀窗口、源极金属接线板刻蚀窗口、dummy栅极接线板刻蚀窗口及trench栅极接线板刻蚀窗口。本实用新型专利技术在保证器件短路耐量特性和耐压特性的基础上，通过降低器件在开关过程中的浪涌电压，降低了器件的开关损害，从而提高了器件工作的安全性。本实用新型专利技术结构简单、效果显著、实用性强。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及版图
,主要适用于dummy-trench功率器件的版图。
技术介绍
对于IGBT和VDMOS来讲，每个元包之间存在寄生的JFET区，JFET电阻是器件电阻的重要组成部分，为了降低器件总体的饱和导通压降，采用Trench结构消除寄生JFET区。Trench IGBT (包括VDM0S，后面也包括)的一个缺点是它的短路耐量很低，原因是沟道密度增加，饱和电流密度增加。为了提高trench IGBT的抗短路能力，必须降低沟道密度。而增加trench间距虽能降低沟道密度，但却使耐压下降。为了能使沟道密度降低又能保持耐压不受太大影响，目前的解决方法就是dummy结构。就是只有其中一部分栅起沟道作用，其余的只用于维持耐压，这也是du_y—词的来源。另外，du_y增加了 PIN区域的相对面积，增加了载流子的积累，故进一步降低了导通压降。Dummy栅的电学连接方式有很多种:可以与真正的trench栅极(G)连接；可以与发射极(E)连接；可以浮空；可以与终端区的场限环连接。而目前的Du_y栅的电学连接方式存在以下缺点:(I)当dummy栅和真正的trench栅极(G)连接时,栅极G与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于dummy?trench功率器件的版图，其特征在于，包括：dummy栅极结构刻蚀窗口、trench栅极结构刻蚀窗口、源极金属刻蚀窗口、dummy栅极金属刻蚀窗口、trench栅极金属刻蚀窗口、源极金属接线板刻蚀窗口、dummy栅极接线板刻蚀窗口及trench栅极接线板刻蚀窗口；所述trench栅极结构刻蚀窗口被所述dummy栅极结构刻蚀窗口隔开；所述dummy栅极金属刻蚀窗口与所述源极金属刻蚀窗口间隔距离，所述trench栅极金属刻蚀窗口与源极金属刻蚀窗口间隔距离；dummy栅极金属刻蚀窗口覆盖dummy栅极结构刻蚀窗口的一端，trench栅极金属刻蚀窗口覆盖trench栅极结构刻蚀...

【技术特征摘要】
1.一种适用于dummy-trench功率器件的版图，其特征在于,包括:dummy栅极结构刻蚀窗口、trench栅极结构刻蚀窗口、源极金属刻蚀窗口、dummy栅极金属刻蚀窗口、trench栅极金属刻蚀窗口、源极金属接线板刻蚀窗口、dummy栅极接线板刻蚀窗口及trench栅极接线板刻蚀窗口 ；所述trench栅极结构刻蚀窗口被所述dummy栅极结构刻蚀窗口隔开；所述dummy栅极金属刻蚀窗口与所述源极金属刻蚀窗口间隔距离，所述trench栅极金属刻蚀窗口与源极金属刻蚀窗口间隔距离；dummy栅极金属刻蚀窗口覆盖dummy栅极结构刻蚀窗口的一端，trench栅极金属刻蚀窗口覆盖trench栅极结构刻蚀窗口的一端；源极金属刻蚀窗口覆盖未被dummy栅极金属刻蚀窗口和trench栅极金属刻蚀窗口所覆盖的区域，且与dummy栅极金属刻蚀窗口和trench栅极金属刻蚀窗口间隔距离；所述dummy栅极接线板刻蚀窗口覆盖dummy栅极金属刻蚀窗口，所述trench栅极接线板刻蚀窗口覆盖trench栅极金属刻蚀窗口，所述源极金属接线板刻蚀窗口覆盖源极金属刻蚀窗口。2.如权利要求1所述的适用于dummy-trench功率器件的版图，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：褚为利，朱阳军，胡爱斌，赵佳，喻巧群，田晓丽，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，江苏物联网研究发展中心，江苏中科君芯科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：