一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽制造技术

本实用新型专利技术公开了一种在沟槽型IGBT或者沟槽型VDMOS上形成的沟槽，属于半导体器件技术领域。该沟槽的侧面为100面。该沟槽由于侧面为100面，并且100面氧化层生长速率较低，其表面更光滑，所以100面的表面迁移率较高，即如果沟槽的侧面为100面，Im/Is的比例较大，起调制作用的电子较多，器件的导通电阻较小，器件导通压降较低，进而，器件导通功率损耗较少。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽
本技术涉及半导体器件
，特别涉及一种在沟槽型IGBT或者沟槽型VDMOS上形成的沟槽。
技术介绍
在晶体学中，通过晶体中原子中心的平面叫做晶面。以晶胞一个顶点为原点作空间直角坐标系，使x，y，z轴正方向与晶胞三条边重叠,并设晶胞边长为1,100面即x=l, y=0,z=0三点确定的平面，110面即x = l,y=l, z=0三点确定的平面，111面即x=l, y=l, z=l三点确定的平面。在现有技术中的沟槽型IGBT和沟槽型VDMOS中，常选用100面作为起始晶面，如图1所示，与硅片的定位边平行和垂直的晶向均为110晶向。现有技术中的IGBT和VDMOS在设计时，都是令沟槽平行或垂直于硅片的定位边，由此形成的沟槽的侧面均为110面，如图2所示。参见附图3，在沟槽型IGBT的栅开启后，电子电流Ie3通过P_基区2的反型层沟道从N+发射区I注入到相邻沟槽之间的N_漂移区6，然后，其中的一部分电子电流Im5沿着沟槽侧壁的积累层向N—漂移区6流动，另一部分电子电流Is4分散到相邻的沟槽之间的区域。一般而言，Im5进入N_漂移区6后发生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽，其特征在于，侧面为100面。

【技术特征摘要】
1.一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽，其特征在于，侧面为100面。2.根据权利要求1所述的沟槽，其特征在于，所述沟槽为...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文亮，赵佳，朱阳军，田晓丽，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，上海联星电子有限公司，江苏中科君芯科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：