【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种绝缘栅双极晶体管。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(英文全称Insulated Gate Bipolar Transistor,英文简称IGBT),是由双极型晶体管(英文全称Bipolar Junction Transistor,英文简称BJT)和金属_氧化层_半导体_场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor, M0SFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。传统的IGBT结构具有两个相对的主面，S卩，第一主面和第二主面；其中，第一主面即芯片的正面，包括元胞区和终端区；第二主面即芯片的背面，包括IGBT集电极区；此外，还包括IGBT漂移区。图1是传统的IGBT结构的俯视图，即芯片的正面的示意图，包括元胞区100和终端区200，其中终端区200完全包围住元胞区100，可实现芯片平面电场分压的功能。图2是图1沿A-A线的剖面图，如图2所示，元胞区100包括栅极101、发射极102、p阱区103、包含在P阱区103内的与发射极接触的η+发射极区104和...
【技术保护点】
一种绝缘栅双极晶体管IGBT，包括位于正面的元胞区和环绕所述元胞区的终端区，第一导电类型的IGBT漂移区，以及位于背面的IGBT集电极区，所述IGBT集电极区与所述IGBT漂移区连接并位于所述IGBT漂移区下方；其中，所述IGBT漂移区包括位于所述元胞区下方的第一漂移区和位于所述终端区下方的第二漂移区；其特征在于，所述IGBT集电极区包括：位于所述第一漂移区下方的重掺杂的第二导电类型的元胞集电极区，和邻接于所述元胞集电极区的非导电隔离区；其中，所述非导电隔离区的长度小于等于所述终端区的长度，所述非导电隔离区的厚度大于等于所述元胞集电极区的厚度。
【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极晶体管IGBT，包括位于正面的元胞区和环绕所述元胞区的终端区，第一导电类型的IGBT漂移区，以及位于背面的IGBT集电极区，所述IGBT集电极区与所述IGBT漂移区连接并位于所述IGBT漂移区下方；其中，所述IGBT漂移区包括位于所述元胞区下方的第一漂移区和位于所述终端区下方的第二漂移区； 其特征在于，所述IGBT集电极区包括:位于所述第一漂移区下方的重掺杂的第二导电类型的元胞集电极区，和邻接于所述元胞集电极区的非导电隔离区；其中，所述非导电隔离区的长度小于等于所述终端区的长度，所述非导电隔离区的厚度大于等于所述元胞集电极区的厚度。2.根据权利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述IGBT集电极区还包括邻接于所述非导电隔离区的终端集电极区，所述终端集电极区包括第二导电类型的第一区块和位于所述第一区块下方的重掺杂的第一导电类型的第二区块；其中，所述第一区块的长度小于等于所述终端区的长度，所述第一区块的厚度小于所述第二漂移区的厚度；所述第二区块的长度小于等于所述终端区的长度，所述第二区块的厚度小于所述非导电隔离区的厚度。3.根据权利要求2所述的IGBT，其特征在于，所述第一区块的第二导电类型的掺...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。