高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT制造技术

高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT，属于半导体器件制造技术领域。包括主体P+Substrate（1）、在主体P+Substrate（1）上方的第一层外延缓冲层（2）、在第一层外延缓冲层（2）上方的第二层外延漂移层（3）、P型区P-body（4）、多晶硅（7）和多晶硅外周的沟槽（6），其特征在于：在第二层外延漂移层（3）上方增设包括N层和P型区P-body（4）区域在内的第三层外延层（5）。与现有技术相比，能够有效降低漂移区（Driftregion）的电阻，降低VCEsat，增加正向通电的效率10—30%等优点。

【技术实现步骤摘要】

高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT，属于半导体器件制造

技术介绍
传统N型沟槽式IGBT的外延层有两层如图2所示，第一层外延缓冲层为缓冲层(Buffer Layer),掺杂比较浓，阻止反向高压时空乏区扩充至重掺P型衬底P+Substrate。第二层外延漂移层为漂移区域(Drift region)掺杂浓度低，主要功能是支持反向高压。所以在平面IGBT制程中通道RJ部位的电阻较高，导通电流时IGBT整体的饱和电压VCEsat较高，因而导通时的效率较低。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是:克服现有技术的不足，提供一种能够有效地解决现有技术正向导通时电阻大，效率低的问题的高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:该高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT,包括主体P+Substrate、在主体P+Substrate上方的第一层外延缓冲层、在第一层外延缓冲层上方的第二层外延漂移层、P型区P-body、多晶硅和多晶硅外周的沟槽，其特征在于:在第二层外延漂移层上方增设包括N层、P型区P-body区域在内的第三层外延层。外延层掺杂浓度为第本文档来自技高网...

【技术保护点】
高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT，包括主体P+Substrate（1）、在主体P+Substrate?（1）上方的第一层外延缓冲层（2）、在第一层外延缓冲层（2）上方的第二层外延漂移层（3）、P型区P?body（4）、多晶硅（7）和多晶硅外周的沟槽（6），其特征在于：在第二层外延漂移层（3）上方增设包括N层、P型区P?body区域在内的第三层外延层（5）。

【技术特征摘要】
1.效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT，包括主体P+Substrate(I)、在主体P+Substrate (I)上方的第一层外延缓冲层(2)、在第一层外延缓冲层(2)上方的第二层外延漂移层(3)、P型区P-body (4)、多晶硅(7)和多晶硅外周的沟槽(6)，其特征在于:在第二层外延漂移层(3)上方增设包括N层、P型区P-body区域在内的第三层外延层(5)。2.根据权利要求1所述的高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT，其特征在于:外延层掺杂浓度为第一层外延缓冲层(2 )浓度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：关仕汉，吕新立，
申请(专利权)人：淄博美林电子有限公司，
类型：发明
国别省市：