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高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT制造技术
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文档序号:8684211
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高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT,属于半导体器件制造技术领域。包括主体P+Substrate(1)、在主体P+Substrate(1)上方的第一层外延缓冲层(2)、在第一层外延缓冲层(2)上方的第二层外延漂移层(3)、P型区P-bod...
该专利属于淄博美林电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过淄博美林电子有限公司授权不得商用。
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