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本发明实施例提供了一种IGBT，涉及集成电路制造领域，可改善IGBT关断时拖尾电流的问题，该IGBT包括位于正面的元胞区和环绕元胞区的终端区，第一导电类型的IGBT漂移区，以及位于背面的IGBT集电极区，IGBT集电极区与IGBT漂移区连接...
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