【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率开关器件，尤其涉及一种大功率晶闸管。
技术介绍
晶闸管中设有硅片，硅片为圆形。在硅片上设有单元胞结构的门极即在硅片上只设有一个中心门极和围绕该中心门极的放大门极。放大门极多采用蘑菇状多指结构或者渐开线多指结构，以此来覆盖在硅片上。但是，随着硅片直径不断随着功率增大而增大，放大门极长度不可避免地增大，其寄生分布电阻和电容随之迅速增加。由于上述原因，单元胞结构门极的尺寸增大，受到中心门极和放大门极的寄生电阻、电容增大的影响，使得晶闸管开启过程充电时间常数增加，引起开启时间延长，开启速度变慢，开启过程的di/dt耐量降低，开启均匀性变差；同时，导致通态电流密度分布均匀性变差，有效通态平均电流密度降低，通态压降和通态功耗增大。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种满足大功率工作需要的门极结构设计合理且寄生电阻、电容小的大功率晶闸管。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案:该大功率晶闸管包括硅片，所述硅片上设有单元胞门极，所述单元胞门极包括中心门极和放大门极，所述中心门极位于放大门极正中心位置，所述硅片上至少设有七个单元胞门极，任意三个相邻的单元胞门极都呈正二角形分布在娃片上。作为本专利技术的优选，所述单元胞门极的放大门极包括三个呈箭头状分指，所述分指间隔一百二十度围绕中心门极分布且三个分指之间相连。本专利技术采用上述技术方案:在大功率晶闸管的硅片上设置多个小尺寸的单元胞门极，使得该大功率的硅片表面形成多单元胞结构门极，通过在硅片表面建立多个寄生电阻、电容小的工作区域，实现大尺寸晶闸管保持与小尺寸晶闸管同样的工作性能，达到开启速...
【技术保护点】
一种大功率晶闸管，该大功率晶闸管包括硅片，所述硅片上设有单元胞门极，所述单元胞门极包括中心门极(1)和放大门极(2)，所述中心门极(1)位于放大门极(2)正中心位置，其特征在于：所述硅片上至少设有七个单元胞门极，任意三个相邻的单元胞门极都呈正三角形分布在硅片上。
【技术特征摘要】
1.一种大功率晶闸管，该大功率晶闸管包括硅片，所述硅片上设有单元胞门极，所述单元胞门极包括中心门极(I)和放大门极(2)，所述中心门极(I)位于放大门极(2)正中心位置，其特征在于:所述硅片上至少设有七个单元胞...
【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，张海鹏，
申请(专利权)人：杭州汉安半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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