一种单晶炉及其阻气筒制造技术

本实用新型专利技术提供了一种单晶炉的阻气筒，其中，阻气筒套设在单晶炉的坩埚托杆和托杆护套的外侧，且阻气筒的顶端与单晶炉的反射板密封接触，阻气筒的底端与单晶炉的底部隔热部件密封接触。本实用新型专利技术提供的阻气筒，其避免了从反射板和底部隔热部件之间流过的硅蒸汽与坩埚托杆和托杆护套接触，即使硅蒸汽从反射板上方进入阻气筒内部，硅蒸汽也无法在阻气筒内流通，硅蒸汽的气流就不会再从反射板上方进入阻气筒内，而是流向阻气筒外的导通路径，从而减少甚至避免了硅蒸汽在坩埚托杆和托杆护套上凝结，避免了坩埚托杆与托杆护套发生摩擦而引起硅溶液振动，使得单晶硅的拉制过程能够更加顺利完成。本实用新型专利技术还提供了一种具有上述阻气筒的单晶炉。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种单晶炉及其阻气筒
本技术涉及单晶炉
，更具体地说，涉及一种单晶炉的阻气筒。本技术还涉及一种具有上述阻气筒的单晶炉。
技术介绍
单晶炉是采用直拉法生产单晶硅的主要设备。其中，生产单晶硅的多晶硅原料放置于石英坩埚01中，石英坩埚01放置于位于单晶炉热场中的石墨埚02中，而石墨埚02被一根圆柱状的坩埚托杆03支撑(如图1所示)，坩埚托杆03的下部穿过单晶炉的炉底以与外部的驱动装置连接，位于热场中的炉底上设置有底部隔热部件04，坩埚托杆03穿过底部隔热部件04的部分，在其外侧套设有托杆护套05，为了减小硅泄漏时硅溶液沿着坩埚托杆03下流对单晶炉底部其他部件造成的影响，在托杆护套05的顶部边缘处设置有与坩埚托杆03侧壁间隙很小的护套顶环06。此外，为了提高热量的利用率，在石墨埚02的底部设置有将辐射到热场底部的热量反射回热场中部的反射板07。在单晶硅的生产过程中，需要将固体多晶硅原料熔化，在熔化的过程中会挥发出杂质和硅蒸汽，热场中的杂质会对后续的单晶硅生长造成一定的影响，所以一般会将挥发出的杂质排出单晶炉，硅蒸汽也会随着气流一同排出，当单晶炉使用下排气的方式排除杂质时，含有杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶炉的阻气筒，其特征在于，所述阻气筒（1）套设在单晶炉的坩埚托杆（2）和托杆护套（3）的外侧，且所述阻气筒（1）的顶端与单晶炉的反射板（4）密封接触，所述阻气筒（1）的底端与单晶炉的底部隔热部件（5）密封接触。

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉的阻气筒，其特征在于，所述阻气筒(I)套设在单晶炉的坩埚托杆(2)和托杆护套(3)的外侧，且所述阻气筒(I)的顶端与单晶炉的反射板(4)密封接触，所述阻气筒(I)的底端与单晶炉的底部隔热部件(5)密封接触。2.根据权利要求1所述的单晶炉的阻气筒，其特征在于，所述阻气筒(I)为圆筒。3.根据权利要求1所述的单晶炉的阻气筒，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘淑娜，高玉宝，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：实用新型
国别省市：