一种新型三氯氢硅合成炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型三氯氢硅合成炉，包括筒体、上封头和下封头，所述上封头和下封头分别固定在筒体的顶部和底部，所述筒体内设有筛板，所述上封头设有出气口，下封头设有排污口，所述筒体底部设有进气口和进气管连接头，所述进气管连接头插入进气口与筒体内部连通，所述进气管连接头倾斜固定在筒体底部，所述进气管连接头的气体输入端的位置高于气体输入端的位。本实用新型专利技术采用气体低进高出，不再需要用磁力泵打四氯化硅液体或粗品冷凝液进行循环喷淋洗涤，直接利用三氯氢硅合成气的压力，在高沸物洗涤装置里进行鼓泡洗涤，节约了电费，解决了磁力泵检修周期短的难题。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及硅化工领域，特别是涉及一种新型三氯氢硅合成炉。
技术介绍
目前三氯氢硅合成生产系统均采用沸腾炉方式进行固体与气体进行反应，氯化氢气体与硅粉固体经炉子反应段完成反应后经扩大段进入下一级冷却降温、沉降除尘、旋风除尘及布袋除尘工序，除完尘的干净气体进入冷凝器即得到三氯氢硅粗品。例如申请号为201020013212.0，公开号为201648006U的中国专利“一种三氯氢硅合成炉”，公开了一种三氯氢硅合成炉，包括炉体，所述炉体包括上封头、中间壳体和下封头，所述炉体内形成密闭的腔室，在中间壳体上设有硅粉进口、原料气进口和合成气出口，所述中间壳体内设有若干根导热油列管。此技术的设备，三氯氢硅合成炉炉体较矮，扩大段较小，三氯氢硅合成尾气带出的硅粉很多，系统堵塞严重，硅粉消耗高，270KG/吨三氯氢硅以上。现有三氯氢硅合成炉中存在以下技术问题:1、三氯氢硅合成炉炉体较矮，扩大段较小；2、三氯氢硅合成尾气带出的硅粉很多；3、系统堵塞严重；4、硅粉消耗高，270KG/吨三氯氢硅以上，这些都是目前三氯氢硅生产的瓶颈。
技术实现思路
本技术为解决上述技术问题，提供了一种新型三氯氢硅合成炉。本技术采用在过滤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型三氯氢硅合成炉，包括中间壳体（1）、上封头（2）和下封头（3），所述上封头（2）和下封头（3）分别通过法兰与中间壳体的顶部和底部固定连接形成炉体，所述中间壳体（1）包括上部除尘段（4）和下部反应段（5）；所述上部除尘段（4）的顶部设置有金属过滤器（6）；所述下部反应段（5）的长径比为12:1，其特征在于：所述上部除尘段（4）的顶部还设置有反冲装置。

【技术特征摘要】
1.一种新型三氯氢硅合成炉，包括中间壳体(I)、上封头(2)和下封头(3)，所述上封头(2)和下封头(3)分别通过法兰与中间壳体的顶部和底部固定连接形成炉体，所述中间壳体(I)包括上部除尘段(4)和下部反应段(5);所述上部除尘段(4)的顶部设置有金属过滤器(6);所述下部反应段(5)的长径比为12:1，其特征在于:所述上部除尘段(4)的顶部还设置有反冲装置。2.根据权利要求1所述的一种新型三氯氢硅合成炉，其特征在于:所述上部除尘段(4)截面积是下部反应段(5)截面积的5-8倍。3.根据权利要求1所述的一种新型三氯氢硅合成炉，其特征在于:所述下封头内设有用于固定喷嘴的喷嘴管板，所述喷嘴管板上设有喷嘴，喷嘴伸入下部反应段内；所述下部反应段设有内换热器和加热器...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁进，
申请(专利权)人：乐山永祥硅业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：